Инвентарный номер: нет.
   
   Ш 89


    Штенников, В. Н.
    Проблемы минимизации времени контактной и лазерной пайки [Текст] / В. Н. Штенников // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 2. - С. 18-20 : рис. - Библиогр. : с. 20 (14 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРИБОР -- СБОРКА -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА -- МСТ -- ПАЙКА -- КАЧЕСТВО


Инвентарный номер: нет.
   
   Ш 89


    Штенников, В. Н.
    К вопросу развития научного направления по пайке электронных приборов / В. Н. Штенников // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 3. - С. 30-31 : рис. - Библиогр. : с. 31 (13 назв.)
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРИБОР -- СБОРКА -- МСТ -- КАЧЕСТВО -- ПАЙКА -- ТЕМПЕРАТУРА


Инвентарный номер: нет.
   
   Ш 89


    Штенников, В. Н.
    Оценка времени и температуры пайки электронных приборов / В. Н. Штенников // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 5. - С. 15-17 : ил. - Библиогр. : с. 17 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРИБОР -- КАЧЕСТВО -- ПАЙКА -- ТЕМПЕРАТУРА -- ВРЕМЯ


Инвентарный номер: нет.
   
   Ш 89


    Штенников, В. Н.
    Международные стандарты IPC о паяльных стержнях из стали / В. Н. Штенников // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 28-29. - Библиогр. : с. 29 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРИБОР -- СБОРКА -- КАЧЕСТВО -- ПАЙКА -- ТЕМПЕРАТУРА


Инвентарный номер: нет.
   
   П 75


   
    Прибор для уничтожения информации с флеш-носителей / Ю. В. Гуляев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 11. - С. 42-46 : рис. - Библиогр. : с. 46 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
УНИЧТОЖИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ -- ФЛЕШ-НОСИТЕЛИ -- ПОЛЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ -- НАПРЯЖЕНИЕ ВЫСОКОЕ


Инвентарный номер: нет.
   
   Ш 89


    Штенников, В. Н.
    Влияние длины паяльного стержня на температуру контактной пайки / В. Н. Штенников // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 29-31 : табл. - Библиогр. : с. 31 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРИБОР ЭЛЕКТРОННЫЙ -- КАЧЕСТВО -- ТЕМПЕРАТУРА ПАЙКИ
Аннотация: Описаны результаты исследований по влиянию длины паяльного стержня на температуру контактной пайки, которая оказывает pешающее влияние на качество паяных соединений


Инвентарный номер: нет.
   
   А 94


    Штенников, В. Н.
    Методика обеспечения требуемой температуры контактной пайки / М. С. Афанасьев, А. Ю. Митягин [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 7 . - С. 30-32 : рис. - Библиогр. : с. 32 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕМПЕРАТУРА ПАЙКИ -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА -- ПРИБОР
Аннотация: Качество паяных соединений электронных компонентов в первую очередь зависит от температуры пайки. Стандартные режимы монтажа не гарантируют получение качественных паяных соединений уникальной конструкции. Автором статьи разработана и апробирована методика обеспечения требуемой температуры контактной пайки для соединений нетипичной конструкции


Инвентарный номер: нет.
   
   Ш 89


    Штенников, В. Н.
    Проблемы и перспективы использования бессвинцовых материалов в военной и космической технике / В. Н. Штенников // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 8. - С. 27-29. - Библиогр. : с.29 (16 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРИБОР -- ТЕХНОЛОГИЯ БЕССВИНЦОВАЯ -- ПАЙКА -- ПЛАТА ПЕЧАТНАЯ
Аннотация: Применение бессвинцовых технологий монтажа электронных приборов породило ряд новых проблем. Отечественным предприятиям и организациям необходимо активизировать работы по ликвидации негативных последствий внедрения бессвинцовых технологий


Инвентарный номер: нет.
   
   Д 25


   
    Двухполюсный позиционно-чувствительный фотодатчик с отрицательной дифференциальной проводимостью / С. Г. Новиков [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 12 . - С. 35-37 : рис. - Библиогр. : с. 37 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ФОТОДАТЧИК ПОЗИЦИОННО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ -- ПРИБОР С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ
Аннотация: Рассмотрен двухполюсный позиционно-чувствительный фотодатчик с отрицательной дифференциальной проводимостью (ОДП). Фотодатчик представляет собой аналоговый комбинированный прибор, реализованный на основе биполярно-полевого элемента с ОДП и полупроводникового позиционно-чувствительного фотоприемника. Особенностью фотодатчика является появление участка ОДП на выходной вольт-амперной характеристике в двухэлектродном включении освещении фоточувствительной области и зависимость значения ОДП от координаты центра светового пучка на поверхности фотодатчика. Рассмотренный двухполюсный позиционно-чувствительный фотодатчик с ОДП может найти применение в различных узлах мехатроники, микросистемной техники, автоматики, устройствах убавления и позиционирования


Инвентарный номер: нет.
   
   В 93


   
    Высокочувствительный магниторезистивный сенсор для современных приборов считывания информации / В. В. Амеличев, В. Г. Сницар, Д. В. Костюк, С. И. Касаткин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 38-39 : рис. - Библиогр.: с. 39 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТОК ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ -- ПРИБОР СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ -- СЕНСОР -- СЕНСОР МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ -- ПРОВОДНИК
Аннотация: Представлены конструкция и принцип действия высокочувствительного магниторезистивного сенсора для применения в современных приборах считывания информации. Проведен анализ и сделан вывод о практической значимости разрабатываемого сенсора для бесконтактного контроля слабых магнитных полей от проводников с током, находящихся в составе плат и микросхем


Инвентарный номер: нет.
   
   И 88


   
    Исследование источников случайных погрешностей в измерительном сканирующем зондовом микроскопе «НаноСкан-3Di» / К. В. Гоголинский, К. Л. Губский, А. П. Кузнецов, В. Н. Решетов // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 5-6. - С. 56-59 : рис., табл. - Библиогр.: с. 59 (6 назв.) . -
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИАПАЗОН НАНОМЕТРОВЫЙ -- МИКРОСКОП СКАНИРУЮЩИЙ ЗОНДОВЫЙ -- МИКРОСКОП «НАНОСКАН-3DI» -- ПОГРЕШНОСТИ -- ИНТЕРФЕРОМЕТР ТРЕХКООРДИНАТНЫЙ ГЕТЕРОДИННЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ -- ВОСПРОИЗВОДИМОСТЬ
Аннотация: Кратко описано устройство и принцип работы измерительного сканирующего зондового микроскопа «НаноСкан-3Di». Прибор создан путем сопряжения серийного СЗМ «НаноСкан-3D» и трехкоординатного гетеродинного лазерного интерферометра. Проведено исследование метрологических характеристик и основных источников случайных погрешностей данного измерительного комплекса. Экспериментальные исследования продемонстрировали высокую воспроизводимость и низкий уровень шумов при измерениях линейных размеров в нанометровом диапазоне


Инвентарный номер: нет.
   
   Н 69


   
    Нитридные приборы миллиметрового диапазона / П. Мальцев, Ю. Федоров, Р. Галиев, С. Михайлович, Д. Гнатюк // Наноиндустрия. - 2014. - № 3(49). - С. 40-51 : рис., табл., граф. - Библиогр.: с. 51 (33 назв.) . - ISSN 1993-8578
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА -- СВЧ-ПРИБОР -- ШИРОКОЗОННАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА
Аннотация: Анализ современного состояния и основных направлений развития технологии создания миллиметровых СВЧ-приборов на широкозонных гетероструктурах (Al,Ga,In)N/GaN показывает, что достигнутый в ИСВЧПЭ РАН технологический уровень находится в хорошем соответствии с общемировыми тенденциями и достижениями. Это создает предпосылки для создания и освоения российского промышленного производства комплектов монолитных интегральных схем для приемопередающих систем Ка-, V- и W-диапазонов частот, превосходящих по своим параметрам СВЧ-приборы на арсенидных гетероструктурах.