Инвентарный номер: нет.
   
   А 94


    Афонин, С. М.
    Исследование и расчет статистических и динамических характеристик пьезоактюатора нано-и микроперемещений [Текст] / С. М. Афонин // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 3. - С. 34-41. - Библиогр.: с. 41 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЬЕЗОАКТЮАТОР -- ПЕРЕМЕЩЕНИЕ


Инвентарный номер: нет.
   
   Л 65


    Лихошерст, В. В.
    Контур жесткой обратной связи в микромеханических приборах и расчет его параметров [Текст] / В. В. Лихошерст, В. Я. Распоров // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 4. - С. 30-34 : рис. - Библиогр.: с. 34 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЕ ПРИБОРЫ -- ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ


Инвентарный номер: нет.
   
   Р 24


   
    Расчет параметров тестовой структуры МЭМС-акселерометра, изготовленного с использованием КНИ-пластин / И. В. Годовицын [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 12. - С. 39-45 : рис., табл. - Библиогр. : с. 45 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЭМС -- КНИ -- АКСЕЛЕРОМЕТР


Инвентарный номер: нет.
   
   П 64


    Потапов, А. А.
    Расчет прочности связи гомоядерных молекул, образуемых атомами I группы таблицы Д. И. Менделеева / А. А. Потапов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 1. - С. 49-54 : рис., табл. - Библиогр. : с. 54 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ--ФИЗИЧЕСКАЯ ХИМИЯ
Кл.слова (ненормированные):
АТОМ -- МОЛЕКУЛА -- СВЯЗЬ ХИМИЧЕСКАЯ -- ЭЛЕКТРОН -- ОСТОВ АТОМА -- НАНОТЕХНОЛОГИИ -- СБОРКА АТОМНО-МОЛЕКУЛЯРНАЯ


Инвентарный номер: нет.
   
   П 64


    Потапов, А. А.
    Расчет прочности связи простых гидридов элементов таблицы Д. И. Менделеева / А. А. Потапов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2 . - С. 46-50 : рис., табл. - Библиогр. : с. 50 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
CБОРКА АТОМНО-МОЛЕКУЛЯРНАЯ -- ПРОЧНОСТЬ СВЯЗИ -- ЭНЕРГИЯ СВЯЗИ
Аннотация: Предложена простая электростатическая модель химической связи. Получено соответствующее уравнение, которое апpобиpовано на пpимеpе простых гидридов элементов таблицы Менделеева


Инвентарный номер: нет.
   
   Д 72


    Драгунов, В. П.
    Электростатические взаимодействия в мэмс с плоскопараллельными электродами. часть i. расчет емкостей / В. П. Драгунов, Д. И. Остертак // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 7 . - С. 37-41 : рис. - Библиогр. : с. 41 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЭМС -- ЕМКОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ -- КОНДЕНСАТОР ПЛОСКИЙ
Аннотация: Сравниваются различные подходы к расчету зависимостей емкости плоского конденсатора, содержащего два одинаковых прямоугольных или круглых параллельных электрода, от межэлектродного зазора и взаимного смещения электродов. Рассчитываются погрешности в оценках емкости при использовании различных подходов. Приводится аналитическое выражение для расчета емкостей при изменении площади перекрытия электродов


Инвентарный номер: нет.
   
   Р 24


   
    Расчет терморезистивного анемометрического преобразователя на мембране / А. А. Бобров, А. Ф. Попков [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 8. - С. 34-39 : рис. - Библиогр. : с. 39 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕХНИКА НАНО- И МИКРОСИСТЕМНАЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ РАСХОДА ГАЗА -- ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ
Аннотация: Дан теоретический анализ температурного режима работы в стационарном режиме терморезистивного анемометра на основе кремниевой мембраны в качестве сенсора, регистрирующего значение скорости и расхода газового потока. Описана конструкция разрабатываемого анемометрического преобразователя, его термодинамическая модель и обсуждается связь его конструктивных параметров с выходными характеристиками сенсора. Приведены результаты экспериментальной проверки обсуждаемой модели


Инвентарный номер: нет.
   
   Д 72


    Драгунов, В. П.
    Электростатические взаимодействия в мэмс с плоскопараллельными электродами. часть ii. расчет электростатических сил / В. П. Драгунов, Д. И. Остертак // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 8. - С. 40-47 : рис., табл. - Библиогр. : с. 47 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЭМС -- ЕМКОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ -- КОНДЕНСАТОР ПЛОСКИЙ -- ЭФФЕКТЫ КРАЕВЫЕ
Аннотация: Проводится сравнение различных подходов к оценке компонент электростатических сил, действующих между электродами плоского конденсатора, содержащего два одинаковых прямоугольных или круглых электрода. Приводятся аналитические выражения для расчета компонент электростатических сил. Рассчитываются погрешности в оценках компонент электростатических сил, действующих на электроды конденсаторов при изменении межэлектродного зазора и площади перекрытия электродов


Инвентарный номер: нет.
   
   К 70


    Коршунов, М. А.
    Влияние размерных эффектов на динамику решетки парадибромбензола / М. А. Коршунов, В. Ф. Шабанов // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 1-2 . - С. 75-78 : рис., табл. - Библиогр. : с. 78 (12 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РЕШЕТКА ПАРАДИБРОМБЕНЗОЛА -- СТРУКТУРА НАНОЧАСТИЦЫ -- ДИНАМИКА РЕШЕТКИ
Аннотация: Исследовано влияние изменения размеров наночастиц парадибромбензола на динамику решетки. Размеры наночастиц определялись с помощью электронного микроскопа. Получены экспериментальные спектры комбинационного рассеяния света малых частот наночастиц парадибромбензола размером от ~ 21 мкм до ~ 50 нм. При уменьшении их размеров значения частот линий понижаются. Полуширина линий возрастает при уменьшении размера до ~ 400 нм и убывает при изменении размера от ~ 400 до 50 нм. Проведено моделирование структуры наночастицы по методу молекулярной динамики и расчет гистограмм спектров решеточных колебаний по методу Дина. Найдено, что при уменьшении ее размеров до ~ 400 нм увеличиваются параметры решетки, возрастает ориентационный беспорядок на ее границе. Структура наночастицы подобна структуре монокристалла парадибромбензола. При изменении ее размеров от ~ 400 до 50 нм параметры решетки по кристаллографической оси (a) увеличиваются, а по двум другим осям уменьшаются


Инвентарный номер: нет.
   
   М 73


   
    Многомасштабный компьютерный дизайн материалов для оптических хемосенсоров на основе фотонных кристаллов / М. В. Алфимов, А. А. Багатурьянц [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5 , № 3-4 . - С. 84-91 : рис., табл. - Библиогр. : с. 91 (37 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХЕМОСЕНСЕРЫ ОПТИЧЕСКИЕ -- КРИСТАЛЛЫ ФОТОННЫЕ -- ДИЗАЙН КОМПЬЮТЕРНЫЙ МНОГОМАСШТАБНЫЙ
Аннотация: Предложен многомасштабный метод моделирования элементов оптического хемосенсора с использованием фотонных кристаллов, основанный на квантово-химических и электродинамических расчетах из первых принципов. В рамках метода конечных разностей на пространственно-временной сетке предложен метод учета источников электромагнитного излучения. Проведено сквозное моделирование: выполнен квантово-химический расчет спектра поглощения и излучения красителя на поверхности носителя; показано, как модифицируется спектр излучения молекулы красителя, помещенной в трехмерный фотонный кристалл


Инвентарный номер: нет.
   
   М 54


   
    Методы молекулярного моделирования супрамолекулярных комплексов: иерархический подход / Ф. В. Григорьев, А. Н. Романов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5 , № 5-6 . - С. 47-53 : рис. - Библиогр. : с. 53 (30 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КОМПЛЕКСЫ СУПРАМОЛЕКУЛЯРНЫЕ -- МЕТОДЫ МОЛЕКУЛЯРНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ -- ПОДХОД ИЕРАРХИЧЕСКИЙ
Аннотация: Предложен оригинальный иерархический подход к определению структуры, устойчивости и свойств супрамолекул (СМ), образованных двумя и более молекулами (или молекулярными фрагментами наночастицы), с использованием методов молекулярного моделирования (ММ). Расчет структуры исходных компонент СМ осуществляется методами квантовой химии. Поиск возможных конфигураций СМ предложено осуществлять с использованием генетического алгоритма глобальной оптимизации и классического силового поля для расчета потенциальной энергии взаимодействия компонентов СМ. Для расчета уточненной геометрии найденных конфигураций, их относительной стабильности и требуемых свойств предложено снова использовать методы квантовой химии. Свободная энергия образования СМ может быть определена в квазигармоническом приближении с использованием молекулярно-динамического моделирования. Указанные выше методы и стратегия вычислений реализованы в программе INDAM, входящей в состав программного комплекса NANOMODEL для многомасштабного моделирования структуры и свойств наноразмерных комплексов


Инвентарный номер: нет.
   
   Р 66


    Роках, А. Г.
    Спектральное управление вторично-ионным фотоэффектом - путь к оптоионике / А. Г. Роках, М. Д. Матасов, А. Г. Жуков // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 105-110 : рис. - Библиогр. : с. 110 (25 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
УПРАВЛЕНИЕ СПЕКТРАЛЬНОЕ -- ФОТОЭФФЕКТ ВТОРИЧНО-ИОННЫЙ -- ОПТОИОНИКА -- ЗНАК ВИФЭ
Аннотация: Показана возможность оптического управления выходом ионов из фотопроводящей мишени как в сторону увеличения, так и уменьшения выхода вторичных ионов. Знак эффекта определяется энергетическим положением исследуемого элемента в мишени, являющейся твердым ограниченным раствором сульфидов свинца и кадмия, полученным термическим испарением в вакууме и последующим отжигом. На знак эффекта влияет не только интенсивность, но и спектральный состав освещения. Произведен теоретический расчет изоэнергетического спектра вторично-ионного фотоэффекта, показавший возможность смены знака ВИФЭ, и получены экспериментальные подтверждения на ионах свинца. Знак ВИФЭ зависит от конкуренции компенсационного и рекомбинационного механизмов. Последний сопровождается фотолюминесценцией, как в ближней, так и в средней ИК-области. Спектральное оптическое управление выходом ионов открывает новые возможности создания материалов нанотолщин и допускает гальваническую развязку управляющей и технологической цепей - путь к оптоионике


Инвентарный номер: нет.
   
   Е 28


    Еганова, Е. М.
    Электрические свойства халькогенидных пленок, содержащих наночастицы золота / Е. М. Еганова, Э. Н. Воронков // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - №12. - С. 15-17 : рис. - Библиогр. : с.17 (2 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКИ ХАЛЬКОГЕНИДНЫЕ СТЕКЛООБРАЗНЫЕ -- НАНОЧАСТИЦЫ -- ЗОЛОТО -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ
Аннотация: Приведены результаты изучения электрических характеристик пленок As2Se3, содержащих наночастицы золота. Экспериментам предшествовал предварительный расчет зависимости электропроводности от объемного содержания наночастиц на основе стандартных моделей, используемых для композитных материалов. При сравнении экспериментальных данных с расчетными обнаружены значительные расхождения, которые указывают на взаимодействие структурной матрицы с внедренными наночастицами


Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 79


   
    Формирование периодических наноструктур на поверхности алюминия под действием фемтосекундных лазерных импульсов / Е. В. Голосов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 3-4. - С. 82-86 : рис. - Библиогр. : с. 86 (18 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ИМПУЛЬСЫ ЛАЗЕРНЫЕ ФЕМТОСЕКУНДНЫЕ -- АЛЮМИНИЙ -- ФОРМИРОВАНИЕ НАНОСТРУКТУР -- РЕЖИМ ДОАБЛЯЦИОННЫЙ
Аннотация: Под действием ИК (744 нм) и УФ (248 нм) фемтосекундных лазерных импульсов получены одномерные периодические нанорешетки на поверхности алюминия. Наноструктурирование образца проводилось в воде и на воздухе в доабляционном режиме. Исследована зависимость топологии поверхности от параметров лазерного излучения ? длины волны, плотности энергии и числа импульсов, а также от среды, контактирующей с поверхностью. Выполнен расчет оптических характеристик алюминия в зависимости от электронной температуры, хорошо описывающий зависимость отражения p-поляризованных ИК фемтосекундных импульсов накачки от плотности энергии. С помощью рассчитанных оптических характеристик фотовозбужденного алюминия в рамках интерференционной модели оценены периоды поверхностных наноструктур алюминия при различной плотности энергии фемтосекундного лазерного излучения, хорошо согласующиеся с экспериментально измеренными периодами


Инвентарный номер: нет.
   
   Р 84


    Рукин, П. С.
    Расчет комплексов флуоресцентного индикатора 9-дифениламиноакридина с молекулами аналитов методом теории функционала плотности с учетом дисперсионной поправки (DFT-D) / П. С. Рукин, А. А. Сафонов, А. А. Багатурьянц // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 5-6. - С. 60-63 : табл. - Библиогр. : с. 63 (12 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОПРАВКА ДИСПЕРСИОННАЯ (DFT-D) -- МЕТОД ТЕОРИИ ФУНКЦИОНАЛА ПЛОТНОСТИ -- ИНДИКАТОР ФЛУОРЕСЦЕНТНЫЙ -- МОЛЕКУЛЫ АНАЛИТОВ
Аннотация: В связи с проблемой создания оптических хемосенсоров на основе органических красителей теоретически исследовано взаимодействие красителя 9-дифениламиноакридина (индикатора) с рядом малых молекул аналитов (метанол, ацетонитрил, ацетон, тетрагидрофу-ран, бензол, аммиак, формальдегид и ацетальдегид). Структуры и энергии образования комплексов 9-дифениламиноакридина (ДФАА) с аналитами рассчитаны методом теории функционала плотности с эмпирической дисперсионной поправкой (DFT-D) с использованием обменно-корреляционного функционала B-97-D. Рассмотрены комплексы латерального типа и комплексы стэкингового типа, для которых ранее рассчитанные спектры испускания коррелируют с экспериментальными спектрами флуоресценции 9-дифениламиноакридина в соответствующих растворителях. Показано, что учет дисперсионной поправки значительно повышает рассчитанные значения энергий связи всех комплексов ДФАА с аналитами и для большинства комплексов делает стэкинговые структуры более энергетически выгодными по сравнению с латеральными


Инвентарный номер: нет.
   
   Д 81


    Дудин, А. А.
    Теория расчета основных параметров наночастиц для определения их состава / А. А. Дудин, Е. Ф. Кустов // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 7-9 : табл. - Библиогр. : с. 9 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦЫ -- СОСТАВ -- ПАРАМЕТРЫ ОСНОВНЫЕ -- РАСЧЕТ
Аннотация: Рассматривается проблема классификации наночастиц, определения составов и один из путей ее решения. Приведены теоретическое описание расчета основных параметров для определения их состава и классификации, а также необходимые для расчета формулы и их описание. Представлена оригинальная структура таблицы данных. Показано возможное применение этих данных и дальнейшие этапы решения авторами проблем классификации и определения составов наночастиц


Инвентарный номер: нет.
   
   Г 59


    Годовицын, И. В.
    Перспективная конструкция миниатюрного тензорезистивного преобразователя давления / И. В. Годовицын // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 10. - С. 2-8 : рис., табл. - Библиогр. : с. 8 (32 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРЕОбРАЗОВАТЕЛИ ДАВЛЕНИЯ МИНИАТЮРНЫЕ -- ТЕХНОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ МИКРООБРАБОТКИ
Аннотация: Предлагается конструкция миниатюрного тензорезистивного преобразователя давления на КНИ-структуре. Преобразователь имеет тензорезисторы из монокристаллического кремния и мембрану из полиметаллического кремния, что позволяет совместить в конструкции достоинства традиционных и миниатюрных преобразователей давления - высокую чувствительность и маленькие габаритные размеры. Доведен расчет основных параметров преобразователя с помощью конечно-элементного моделирования. Доведен анализ параметров предложенного преобразователя в сравнении с преобразователями других типов


Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абрамов, И. И.
    Моделирование одноэлектронных приборных структур на основе молекул / И. И. Абрамов, А. Л. Баранов, И. Ю. Щербакова // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 10. - С. 18-20 : рис. - Библиогр. : с. 20 (19 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОЛЕКУЛА -- СТРУКТУРА ПРИБОРНАЯ ОДНОЭЛЕКТРОННАЯ -- КВАНТОВАНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННОЕ
Аннотация: Показана универсальность модели, разработанной в рамках предложенного подхода к моделированию одноэлектронных приборных структур. С этой целью доведен расчет вольт-амперных характеристик структур, включающих и молекулы


Инвентарный номер: нет.
   
   Ж 91


    Журавков, М. А.
    Конечно-элементное моделирование наноразмерных структур / М. А. Журавков, Ю. Е. Нагорный, В. И. Репченков // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 9-10. - С. 92-99 : рис. - Библиогр. : с. 99 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРЫ НАНОРАЗМЕРНЫЕ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНЕЧНО-ЭЛЕМЕНТНОЕ -- ГРАФЕН -- РАСЧЕТ УПРУГИХ МОДУЛЕЙ ГРАФЕНА
Аннотация: Показано, что задача движения ядер в связанной атомной системе в гармоническом приближении может быть сформулирована как конечно-элементная. В качестве примера приведен расчет упругих модулей графена


Инвентарный номер: нет.
   
   М 74


   
    Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs / Д. С. Пономарев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 16-19 : рис., табл. - Библиогр. : с. 19 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- СВЧ ТРАНЗИСТОРЫ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ ТИПА А3В5
Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InР с составной квантовой ямой (КЯ) InGaAs с нановставками InAs и GaAs. С помощью эффекта Шубникова - де Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы m*с с учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в КЯ нановставками InAs позволяет уменьшить m*с на 26 % по сравнению с КЯ In0,53Ga0,47As