А 91 Астахов, М. В. Ферромагнитный резонанс в аморфном ферромагнитном микропроводе [Текст] / М. В. Астахов, И. В. Дутов, А. О. Родин // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 3. - С. 42-44 : рис. - Библиогр.: с. 44 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ФЕРРОМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС -- МИКРОПРОВОД |
А 91 Астахов, М. В. Взаимодействие аморфного ферромагнитного микропровода с электромагнитным излучением [Текст] / М. В. Астахов, И. В. Дутов, А. О. Родин // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 4. - С. 28-30 : граф. - Библиогр.: с. 30 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ФЕРРОМАГНИТНЫЙ МИКРОПРОВОД -- РЕЗОНАНС -- ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ ПОЛЕ |
А 96 Ацаркин, В. А. Магнитный резонанс в наночастицах : между ферро- и парамагнетизмом [] / В. А. Ацаркин, В. В. Демидов, Н. Е. Ногинова // Нанотехника. - 2008. - № 4. - С. 81-87 : рис. - Библиогр. : с. 87 (30 назв.) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ |
М 12 Магнитный резонанс в опаловых матрицах с 3D-структурой, образованной наночастицами никель-цинкового и марганец-цинкового феррита [Текст] / А. Б. Ринкевич [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 1. - С. 23-29 : рис. - Библиогр.: с. 29 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОКОМПОЗИТЫ -- МИКРОФОТОНИКА |
И 88 Исследование поверхностных аквакомплексов в пористых кристаллах методом ядерного магнитного резонанса / В. Н. Малышев [и др.] // Нанотехника. - 2009. - № 1. - С. 99-103 : ил. - Библиогр. : с. 103 (7 назв.) Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПОРИСТЫЕ КРИСТАЛЛЫ -- ЯДЕРНЫЙ МАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС |
С 25 Свойства и структура нанотолщинных слоев нитрида кремния, формируемых на поверхности полиимида низкотемпературным плазмохимическим синтезом / Д. Ю. Обижаев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 9. - С. 14-20 : рис., табл. - Библиогр. : с. 20 (19 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НИТРИД КРЕМНИЯ -- ПРОЦЕССЫ ПЛАЗМОСТИМУЛИРОВАННЫЕ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ -- МИКРООБРАБОТКА ПОВЕРХНОСТНАЯ -- РЕЗОНАНС ЭЛЕКТРОННО-ЦИКЛОТРОННЫЙ |
П 96 Пьезоэлектрический резонансный датчик магнитного поля на основе планарной биморфной структуры с возбуждающей электромагнитной катушкой / А. А. Сопильняк [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 33-37 : рис. - Библиогр. : с. 37 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ -- КАТУШКА ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ВОЗБУЖДАЮЩАЯ -- СТРУКТУРА БИМОРФНАЯ ПЛАНАРНАЯ -- ДАТЧИК РЕЗОНАНСНЫЙ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ -- СИЛА АМПЕРА -- ЦИРКОНАТ- ТИТТАНАТ СВИНЦА Аннотация: Описан пьезоэлектрический датчик постоянных магнитных полей на основе планарной биморфной структуры из цирконата титаната свинца, возбуждаемый электромагнитной катушкой. Датчик использует силу Ампера, пьезоэффект и резонанс изгибных колебаний структуры для увеличения выходного напряжения. Датчик имеет чувствительность ~250 В/(А-Тл) и линейную зависимость выходного напряжения от поля в диапазоне полей ~10-5...0,3 Тл. Разработана методика расчета характеристик датчика |
О-11 О влиянии концентрации магнитных наночастиц в магнитной жидкости на результаты акустогранулометрии / А. М. Стороженко, В. М. Полунин, А. О. Танцюра, А. Н. Ряполов // Нанотехника. - 2012. - № 3. - С. 49-53 : рис. - Библиогр.: с. 53 (13 назв.) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОЧАСТИЦА -- ПОЛЕ МАГНИТНОЕ -- ЖИДКОСТЬ МАГНИТНАЯ -- МЕТОД АКУСТОГРАНУЛОМЕТРИИ -- РЕЗОНАНС -- НАНОЧАСТИЦЫ МАГНИТНЫЕ Аннотация: Описана усовершенствованная методика оценки размеров наночастиц магнитной жидкости (МЖ) на основе анализа полевой зависимости амплитуды ЭДС, индуцируемой в колебательном контуре при распространении звуковой волны в намагниченной жидкости. Показано, что полевая зависимость магнитной восприимчивости измерительной катушки индуктивности может не учитываться при анализе результатов измерений. Сравниваются оценочные значения линейных размеров магнитных частиц дисперсной фазы в концентрированном образце МЖ, полученные методом акустогранулометрии и на основе анализа кривой намагничивания |
Е 50 Елесин, В. Ф. Переходные процессы в резонансно-туннельном диоде с учетом межэлектронного взаимодействия / В. Ф. Елесин, И. Ю. Катеев, А. Ю. Сукочев // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 81-84 : рис. - Библиогр.: с. 84 (14 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДИОД РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ -- ПРОЦЕССЫ ПЕРЕХОДНЫЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖЭЛЕКТРОННОЕ -- ТОК -- РТД -- РЕЗОНАНС Аннотация: Исследовано влияние сильного межэлектронного взаимодействия на переходные процессы в резонансно-туннельном диоде (РТД). С помощью численного решения уравнения Шредингера в приближении Хартри рассчитан нестационарный ток, возникающий в РТД при мгновенном переключении напряжения смещения и включении потока. Рассчитан переход РТД при наличии гистерезиса из состояния с большим током в состояние с малым током. Изучен характер и найдено время этого перехода. Показано, что при скачках напряжения, больших ширины уровня Г, возможно очень быстрое переключение за времена порядка 10-13 c и РТД может быть использован как сверхбыстрый переключатель. Найдено, что установление процессов конструктивной интерференции в квантовой яме и деструктивной в эмиттере происходит за времена порядка 5/Г |
Е 50 Елесин, В. Ф. Влияние уровня в спейсере эмиттера на пиковый ток резонансно-туннельного диода / В. Ф. Елесин, М. А. Ремнев // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 85-88 : рис. - Библиогр.: с. 88 (19 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД -- ТОК -- ДИОД -- РЕЗОНАНС -- ШРЕДИНГЕР -- СЛОЙ ЭМИТТЕРА СПЕЙСЕРНОГО Аннотация: При помощи численного решения уравнения Шредингера была исследована зависимость пикового тока на вольт-амперной характеристике резонансно-туннельного диода от толщины спейсерного слоя эмиттера. Эта зависимость имеет ярко выраженные максимумы. Причем пиковый ток в максимумах намного превышает пиковый ток в отсутствии спейсера. Был выяснен механизм образования максимумов. Они связаны с перекрытием уровня в треугольной яме, образованной спейсерным слоем эмиттера, и резонансным уровнем квантовой ямы. Исследование влияния межэлектронного взаимодействия на полученный эффект показало, что взаимодействие практически не влияет на пиковый ток в прямом направлении приложения напряжения и несколько уменьшает его в обратном |
П 96 Пьезоэлектрический датчик магнитного поля на основе камертона с биморфными элементами / С. А. Даниличев, С. В. Лебедев, Ю. К. Фетисов, Д. В. Чашин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 5. - С. 33-35 : рис. - Библиогр.: с. 35 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ -- ДАТЧИК ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ -- ЭЛЕМЕНТЫ БИМОРФНЫЕ -- СИЛА АМПЕРА -- ПЬЕЗОЭФФЕКТ -- ЦИРКОНАТ-ТИТАНАТ СВИНЦА Аннотация: Исследован датчик постоянных магнитных полей на основе камертона с биморфными элементами из пьезокерамики цирконата титаната свинца, возбуждаемый переменным электрическим током. Датчик использует силу Ампера, пьезоэффект и резонанс акустических колебаний камертона для повышения чувствительности. Датчик имеет чувствительность до 450 В/(А • Тл) и линейную зависимость выходного напряжения от тока и магнитной индукции в диапазоне от ~10 -6 до 0,3 Тл |
Д 20 Датчик магнитных полей гетеродинного типа на основе нелинейного магнитоэлектрического эффекта / Д. А. Бурдин, Ю. К. Фетисов, Д. В. Чашин, Н. А. Экономов // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 2. - С. 38-42. - Библиогр.: с. 42 (14 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ -- ПЬЕЗОЭЛЕКТРИК -- ФЕРРОМАГНЕТИК -- ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ Аннотация: Описан широкополосный частотно-селективный датчик магнитных полей гетеродинного типа, использующий нелинейный магнитоэлектрический эффект в планарной структуре ферромагнетик—пьезоэлектрик. Изготовлен макет датчика на основе структуры со слоями из пьезоэлектрического лангатата и аморфного ферромагнетика. Смешение полей в структуре происходит из-за нелинейности магнитострикции ферромагнетика. Для фильтрации и усиления сигнала использован акустический резонанс структуры, что увеличивает чувствительность датчика на ~2 порядка по сравнению с датчиками, использующими линейный магнитоэлектрический эффект. Датчик работает без поля смещения, позволяет регистрировать минимальные поля до ~10 -5 Э и может быть использован в различных микроэлектромеханических системах |