Х 17 Халилов, Р. З. Релаксация электронов в иттрий-железистом гранате / Р. З. Халилов, Н. В. Воробьева> // Нанотехника. - 2009. - № 1. - С. 103-106 : ил. - Библиогр. : с. 106 (6 назв.) Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРОНЫ -- МОНОКРИСТАЛЛЫ -- МАГНИТНАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ |
В 65 Войлов, Д. Н. Релаксационные свойства нанокомпозита цеолит-полупроводник H-Beta-ZnS: широкополосная диэлектрическая спектроскопия / Д. Н. Войлов, Г. Ф. Новиков, Ю. В. Метелёва-Фишер> // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 5-6. - С. 72-77 : рис., табл. - Библиогр. : с. 77 (12 назв.) . - ISSN 1195-078 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СПЕКТРОСКОПИЯ -- ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ -- ЦЕОЛИТНАЯ МАТРИЦА |
Д 50 Диэлектрический отклик ПКМ на основе полиимида сетчатого строения в присутствии нанодисперсного никель-молибденового катализатора / Д. А. Белов [и др.]> // Нанотехника. - 2011. - № 2. - С. 8-12 : табл., рис. - Библиогр. : с. 12 (9 назв.) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КОМПОЗИТЫ -- НАНОЧАСТИЦЫ -- ПОЛИМИДЫ -- РЕЛАКСАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ Аннотация: Методом диэлектрической спектроскопии исследовано влияние наночастиц никель-молибденового сплава на процесс отверждения и релаксационные процессы в полимерном композиционном материале на основе полиимида сетчатой структуры, нанесенного на наполнитель. Было показано, что никель-молибденовые наночастицы проявляют каталитическую активность в процессе сшивки олигоимида по концевым группам, и что их введение приводит к увеличению степени сшивки образующегося сетчатого полимера |
П 53 Полупроводниковые гетероструктуры InAlAs / InGaAs с метаморфным буфером Inx (Al yGa 1- y) 1- xAs: конструкция, технология, применение / А. С. Бугаев, Г. Б. Галиев, П. П. Мальцев, С. С. Пушкарев, Ю. В. Федоров > // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 14-24 : рис. - Библиогр.: с. 24 (54 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): БУФЕР МЕТАМОРФНЫЙ -- МНЕМТ -- ДИСЛОКАЦИИ НЕСООТВЕТСТВИЯ -- СТУПЕНЬ ИНВЕРСТНАЯ -- INAlAS / INGAAS -- РЕЛАКСАЦИЯ ЭПИСЛОЯ Аннотация: Кратко рассмотрены особенности релаксации упруго-деформированных эпитаксиальных слоев и описывающие ее модели. Названы области применения полупроводниковых гетероструктур InAlAs/InGaAs с метаморфным буфером In x(AlyGa 1 – y) 1 – xAs. Исследовано влияние профиля химического состава метаморфного буфера и технологических режимов его роста (температуры роста, давления мышьяка и вида его молекул) на электрофизические и структурные свойства как самого метаморфного буфера, так и всей гетероструктуры |
М 14 Майорова, Т. Л. Релаксация фотовозбужденной проводимости в неоднородных пиролитических пленках CdS / Т. Л. Майорова, В. Г. Клюев, М. Фам Тхи Хан> // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 103-106 : рис., табл. - Библиогр.: с. 106 (8 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПРОВОДИМОСТЬ -- ПЛЕНКИ CDS -- РЕЛАКСАЦИЯ -- ХАРАКТЕР НЕМОНОЭКСПОНЕНЦИАЛЬНЫЙ -- ЭНЕРГИЯ АКТИВАЦИИ -- ЭЛЕКТРОНЫ ФОТОВОЗБУЖДЕННЫЕ НЕРАВНОВЕСНЫЕ Аннотация: Кинетика релаксации фотовозбужденной проводимости в пиролитических пленках CdS, как чистых, так и легированных щелочными металлами, носит сложный немоноэкспоненциальный характер и характеризуется набором значений энергий активации, принимающих значения в интервале E a = 0.2—0.4 эВ. При этом в таких сложных и неоднородных системах энергия активации, измеряемая экспериментально, представляет собой сложную функцию, зависящую от времени фотовозбуждения образца и от времени релаксации фототока: E a = E a(t ex, t !ax). Показано, что в процессе рекомбинации неравновесных фотовозбужденных электронов и дырок принимают участие как минимум четыре типа потенциальных барьеров высотой 0.2, 0.28, 0.35 и 0.39 эВ |
531 О-31 Овидько, Илья Анатольевич. Механика деформируемых наноматериалов [] : учеб. пособие вузов / И. А. Овидько, Б. Н. Семенов, А. Г. Шейнерман ; С.-Петерб. гос. ун-т. - СПб. : Изд-во С.-Петерб. ун-та, 2013. - 142 с. : ил. - (Механика). - Библиогр.: с. 141-142. - ISBN 978-5-288-05408-2 : 420.00 р.
Рубрики: ФИЗИКА--МЕХАНИКА СПЛОШНЫХ СРЕД--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ |