Инвентарный номер: нет.
   
   Е 50


    Елесин, В. Ф.
    Переходные процессы в резонансно-туннельном диоде с учетом межэлектронного взаимодействия / В. Ф. Елесин, И. Ю. Катеев, А. Ю. Сукочев // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 81-84 : рис. - Библиогр.: с. 84 (14 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИОД РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ -- ПРОЦЕССЫ ПЕРЕХОДНЫЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖЭЛЕКТРОННОЕ -- ТОК -- РТД -- РЕЗОНАНС
Аннотация: Исследовано влияние сильного межэлектронного взаимодействия на переходные процессы в резонансно-туннельном диоде (РТД). С помощью численного решения уравнения Шредингера в приближении Хартри рассчитан нестационарный ток, возникающий в РТД при мгновенном переключении напряжения смещения и включении потока. Рассчитан переход РТД при наличии гистерезиса из состояния с большим током в состояние с малым током. Изучен характер и найдено время этого перехода. Показано, что при скачках напряжения, больших ширины уровня Г, возможно очень быстрое переключение за времена порядка 10-13 c и РТД может быть использован как сверхбыстрый переключатель. Найдено, что установление процессов конструктивной интерференции в квантовой яме и деструктивной в эмиттере происходит за времена порядка 5/Г


Инвентарный номер: нет.
   
   М 74


   
    Моделирование функционально-интегрированных структур на основе углеродных нанотрубок / И. И. Абрамов, Н. В. Коломейцева, В. А. Лабунов, И. А. Романова, А. С. Басаев // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 11-15 : граф. - Библиогр.: с. 13-14 (19 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
УГЛЕРОДНЫЕ НАНОТРУБКИ -- ФУНКЦИОНАЛЬНО-ИНТЕГРИРОВАННАЯ СТРУКТУРА -- КОМБИНИРОВАННАЯ ОДНОЗОННАЯ МОДЕЛЬ -- ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
Аннотация: Предложена численная комбинированная модель, предназначенная для моделирования гибридных функционально-интегрированных структур, представляющих собой совмещение резонансно-туннельного диода и полевого транзистора (РТД-ПТ). С ее помощью проведено моделирование РТД-ПТ на основе УНТ с различными индексами хиральности