И 88 Исследование чувствительности к этанолу переходов Zno—ZnO:Fe на основе тонких наноструктурированных пленок, полученных с помощью золь-гель-технологии / И. А. Пронин, И. А. Аверин, Д. Ц. Димитров, Л. К. Крастева, К. И. Паназова, А. С. Чаначев> // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3 : рис. - Библиогр.: с. 10 (22 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПЛЕНКИ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ ТОНКИЕ ZNO -- СЕНСОР ГАЗОВЫЙ -- ZNO ДОПИРОВАННЫЙ FE -- ЗОЛЬ-ГЕЛЬ-ТЕХНОЛОГИЯ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- ТЕМПЕРАТУРА Аннотация: Исследуется чувствительность к этанолу гомопереходов на основе наноструктуруированнык слоев ZnO— ZnO:Fe, полученных с помощью золь-гель-технологии. В качестве отклика измерялась термоЭДС виртуальной термопары, горячий конец которой представляет собой контакт на слое ZnO вблизи интерфейса ZnO/ZnO:Fe, а холодный — контакт на поверхности ZnO:Fe. Выяснено, что максимальной чувствительностью обладают образцы, верхний слой которых сформирован двумя и тремя погружениями в золь. Тенденция температурной зависимости отклика существенно зависит от толщины верхнего слоя |
А 19 Аверин, И. А. Анализ влияния направленного легирования газочувствительного диоксида олова на формы и концентрацию адсорбированного кислорода / И. А. Аверин, В. А. Мошников, И. А. Пронин> // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 8. - С. 31-34 : рис. - Библиогр.: с. 34 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- КИСЛОРОД АДСОРБИРОВАННЫЙ -- МАТЕРИАЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- ДИОКСИД ОЛОВА -- СЕНСОР ГАЗОВЫй -- СИЛА ЛЬЮИСОВСКАЯ Аннотация: Проведен анализ температурной зависимости концентраций и форм кислорода на нелегированном и легированном полупроводниковом диоксиде олова. Выяснено, что основными формами кислорода при температурах функционирования большинства газовых сенсоров являются О - и О 2-. При легировании материнского оксида ионами, чья льюисовская сила больше, происходит рост концентраций всех форм поверхностного кислорода. Однако во всех случаях основной вклад в газочувствительность полупроводниковых материалов вносит их дефектность |