К 19 Канашевич, Г. В. Превращения в поверхностном слое оптического силикатного стекла и фотопластин из силикатного стекла от действия низкоэнергетического электронного потока [Текст] / Г. В. Канашевич // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 10. - С. 28-30 : рис. - Библиогр.: с. 30 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СИЛИКАТНОЕ ОПТИЧЕСКОЕ СТЕКЛО -- ПОВЕРХНОСТНЫЙ СЛОЙ -- НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ПОТОК -- ФОТОПЛАСТИНКА -- МИКРОРЕЛЬЕФ |
О-11 О структуре межфазного слоя на границе металлическое покрытие - полимерная подложка / Д. А. Панчук [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 5-6. - С. 114-120 : рис. - Библиогр. : с. 120 (19 назв.) . - ISSN 1195-078 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПОЛИЭТИЛЕНТЕРЕФТАЛАТНЫЕ ПЛЕНКИ -- ИОННО-ПЛАЗМЕННОЕ НАПЫЛЕНИЕ -- МЕЖФАЗНЫЙ СЛОЙ |
539.2 Ш 12 Шабалин, Леонид Иванович. Поверхностный разуплотненный слой твердых веществ [] : монография / Л. И. Шабалин. - Новосибирск : [б. и.], 2005. - 123 с. - Библиогр.: с. 113-121. - 20.00 р. Посвящ. памяти Василия Ивановича Бгатова - одного из пенсионеров в области исслед. взаимоотношений живой и неживой природы
Рубрики: ФИЗИКА--ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА--КРИСТАЛЛОГРАФИЯ |
А 19 Аверин, И. А. Исследование поверхностей слоев резистивных структур на низкоразмерном уровне / И. А. Аверин, Ю. В. Аношкин, Р. М. Печерская // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 1. - С. 25-26. - Библиогр. : с. 26 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОРФОСТРУКТУРА -- СЛОЙ -- СТРУКТУРА РЕЗИСТИВНАЯ -- ПОВЕРХНОСТЬ -- ФРАКТАЛЬНОСТЬ -- КЛАСТЕР -- КОНДЕНСАЦИИ |
З-17 Зайцев, Н. А. Особенности формирования подзатворной системы наноприборов / Н. А. Зайцев, И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 36-39 : граф. - Библиогр. : с. 39 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДИОКСИД КРЕМНИЯ -- ДИЭЛЕКТРИК ПОДЗАТВОРНЫЙ -- СЛОЙ ПЕРЕХОДНЫЙ Аннотация: Определены свойства, которыми должна обладать подзатворная система в нанопpибоpах. Показано, что дефоpмация [SiO4]4--тетpаэдpов приводит к обpазованию диполей на гpанице Si-SiO2. Данный эффект необходимо учитывать о^еделении электpических свойств нанотpанзистоpов |
З-63 Зинченко, С. П. Оптический in situ контроль синтеза наноразмерных пленок цирконата титаната свинца в камере газового разряда / С. П. Зинченко, А. П. Ковтун, Г. Н. Толмачев // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 77-80 : рис. - Библиогр. : с. 80 (8 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КОНТРОЛЬ ОПТИЧЕСКИЙ IN SITU -- ПЛЕНКИ НАНОРАЗМЕРНЫЕ -- КАМЕРА ГАЗОВОГО РАЗРЯДА Аннотация: В работе приводятся результаты применения оптического in-situ контроля физического состояния напыляемых газоразрядным способом пленок цирконата титаната свинца Pb(ZrxTi1-х)O3 (ЦТС) на подложке из нержавеющей стали. Обнаружена осцилляторно-затухающая в процессе напыления зависимость интенсивности оптического излучения, отраженного от пленки на подложке. Кривая в значительной мере зависит от вводимой в разряд мощности и от типа получаемой пленки. Структура пленок исследовалась методом рентгеноструктурного анализа. На начальном этапе напыления формируется буферный переходной слой ЦТС со структурой пирохлора, который присутствует в неизменном виде в процессе дальнейшего напыления ЦТС пленки со структурой перовскита. Предложенный метод позволяет в текущем режиме не только контролировать оптические характеристики синтезируемого материала, но и определять направление процесса синтеза пленок |
В 93 Высикайло, Ф. И. Открытие физических принципов упрочнения материалов слоями объемного заряда / Ф. И. Высикайло, В. С. Тивков // Нанотехника. - 2010. - № 2. - С. 27-34 : рис. - Библиогр. : с. 34 (15 назв.) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СЛОИ ОБЬЕМНОГО ЗАРЯДА -- НАНОТРУБКИ -- УПРОЧНЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ Аннотация: Впервые обсуждается возможность упрочнения композитных материалов формированием на их поверхности слоев объемного заряда. В качестве ловушек для свободных электронов, формирующих отрицательно заряженный слой объемного заряда на поверхности упрочняемого материала, можно использовать фуллерены, нанотрубки и иные наноструктуры с большим сродством к электрону. Эти наноструктуры с большим сродством к электрону (модификаторы) присоединяют к себе свободные электроны и тем заряжают положительным зарядом модифицируемый материал. Как показывают аналитические расчеты, модификация прочностных характеристик композитных материалов слоями объемного заряда возможна в десятки раз! Проведены аналитические расчеты резонансных объемных процентных концентраций модификатора, при известных характерных размерах нанокристалла и самого модификатора. Согласно аналитическим расчетам можно надеяться на упрочнение молекулами Cgg до 104 ГПа кристаллов меди и других материалов со свободными электронами |
Ф 73 ФМР, магнитные и резистивные свойства наноструктур {[(CoFeZr)m(Al2O3)100-m]x/(а-si)y}40 с гранулированными магнитными слоями. / С. А. Вызулин [и др.] // Нанотехника. - 2010. - № 3 . - С. 16-21 : рис. - Библиогр. : с. 21 (11 назв.) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СВОЙСТВА НАНОСТРУКТУР МАГНИТНЫЕ -- НАНОПЛЕНКИ АМОРФНЫЕ МУЛЬТИСЛОЙНЫЕ -- КРЕМНИЙ -- СИЛИЦИДЫ Аннотация: Проведен комплексный анализ резистивных, статических и динамических магнитных свойств мультислойных аморфных нанопленок, в которых в качестве магнитного слоя использован композит CoFeZr/Al2O3, а в качестве прослоек - гидрогенизированный кремний. Показано, что свойства таких систем определяются конкурирующими механизмами, связанными с толщинами магнитных слоев х и свойствами кремния. При малых х, несмотря на задаваемый состав композита (до и после порога перколяции), металлический слой состоит из несоприкасающихся гранул, магнитное взаимодействие между которыми существенно меняется при незначительном изменении толщины слоя. При толщинах слоев, меньших 2 нм, окись алюминия играет роль диэлектрического барьера, уменьшающего процесс образования силицидов. С ростом толщины прослоек кремния средняя намагниченность и намагниченность слоев резко уменьшаются за счет образования немагнитных силицидов. Установлено, что образование сплошных слоев кремния и немагнитных силицидов сопровождается созданием канала проводимости, уменьшающего на три порядка удельное сопротивление образцов |
Э 47 Эллипсометрическая характеризация структур Si-SiO2 / В. П. Гавриленко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 42-45 : рис., табл. - Библиогр. : с. 45 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛИПСОМЕТРИЯ -- ПОГРЕШНОСТЬ ИЗМЕРЕНИЙ -- СЛОЙ ПЕРЕХОДНОЙ В СИСТЕМЕ "ПЛЕНКА - ПОДЛОЖКА" Аннотация: Рассмотрены диагностические возможности метода эллипсометрии в применении к системе, представляющей собой пленку оксида кремния на кремнии, широко используемой в наноэлектронике. Для конкретных образцов, содержащих пленку оксида кремния на поверхности кремниевой подложки, определены с высокой точностью все основные параметры пленки и подложки: толщина пленки, показатели преломления пленки и подложки, коэффициент поглощения подложки. Экспериментально показано, что с помощью метода эллипсометрии можно контролировать наличие (или отсутствие) дополнительного переходного слоя между пленкой и подложкой |
Ф 45 Фетисов, Л. Ю. Резонансный магнитоэлектрический эффект в композитной структуре кварц - ферромагнетик / Л. Ю. Фетисов // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 14-16 : рис. - Библиогр.: с. 16 (10 назв.) . -
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КВАРЦ -- ФЕРРОМАГНЕТИК АМОРФНЫЙ -- ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ -- ЭФФЕКТ МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ -- СТРУКТУРА КОМПОЗИТНАЯ Аннотация: Исследован магнитоэлектрический эффект в слоистой композитной структуре, содержащей слой пьезоэлектрического кварца и аморфного магнитного сплава. Показано, что высокая акустическая добротность кварца приводит к существенному увеличению эффективности магнитоэлектрического взаимодействия. Структуры со слоями кварца могут быть использованы для создания датчиков магнитных полей и перестраиваемых резонаторов |
Д 37 Деспотули, А. Л. Модель, метод и формализм нового подхода к описанию процессов ионного транспорта на блокирующих гетеропереходах твердый электролит/электронный проводник / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 16-21 : граф. - Библиогр.: с. 21 (29 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРОЛИТЫ ТВЕРДЫЕ -- ПРИНЦИП ДЕТАЛЬНОГО РАВНОВЕСИЯ -- ПРОВОДНИКИ СУПЕРИОННЫЕ ПЕРЕДОВЫЕ -- ПОДХОД ДИНАМО-КИНЕТИЧЕСКИЙ В НАНОИОНИКЕ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОД ИДЕАЛЬНО ПОПЯРИЗУЕМЫЙ -- СЛОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДВОЙНОЙ Аннотация: Предложен новый динамико-кинетический подход в наноионике для детального описания процессов быстрого ионного транспорта (БИТ) в области идеально поляризуемых гетеропереходов твердый электролит/электронный проводник (ТЭ/ЭП) - функциональных элементов перспективных приборов наноэлектроники и нано(микро)системной техники. Подход включает: структурно-динамическую модель, которая с единых позиций рассматривает быстрые и медленные процессы в области ТЭ/ЭП как движение ионов подвижного сорта в потенциальном рельефе, искаженном на гетерогранице; метод "скрытых" переменных, описывающий на субнанометровом масштабе процессы БИТ в терминах концентраций подвижных ионов на кристаллографических плоскостях в области тонкой структуры двойного электрического слоя; физико-математический формализм, который оперирует "скрытыми" переменными и базируется на принципе детального равновесия и кинетическом уравнении в форме закона сохранения частиц |
М 74 Модификация активной поверхности нанопорошков железа, получаемых методом электрического взрыва проволоки / А. П. Сафронов, А. В. Багазеев, Т. М. Демина, А. В. Петров, И. В. Бекетов // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 80-85 : рис., табл. - Библиогр.: с. 85 (13 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОПОРОШКИ ЖЕЛЕЗА -- ГЕКСАН -- НАНОЧАСТИЦЫ -- МАСС-СПЕКТОМЕТРИЯ -- МИКРОСКОПИЯ ЭЛЕКТРОННАЯ -- КАУЧУК ИЗОПРЕНОВЫЙ Аннотация: Исследован процесс модификации поверхности нанопорошков металлического железа, получаемых методом электрического взрыва проволоки, путем обработки гексаном, толуолом, хлороформом и растворами полимеров в гексане и толуоле непосредственно после получения. Показано, что нанопорошки, полученные в инертной газовой среде, благодаря своей активной поверхности взаимодействуют как с жидкими средами, так и с растворенными в них модификаторами. Методами рентгенофазового и термического анализа, включающего масс-спектрометрию, показано, что гексан является инертной жидкой средой по отношению к нанопорошку, обработка толуолом приводит к осаждению углерода в поверхностных слоях частиц, а хлороформ химически взаимодействует с наночастицами железа, образуя FeCl 2 с большим выходом. Методами термического анализа и просвечивающей электронной микроскопии показано, что обработка нанопорошков раствором олеиновой кислоты в гексане, а также растворами изопренового каучука и полистирола в толуоле приводит к формированию на поверхности наночастиц полимерного покрытия толщиной 3-6 нм. Количество полимера, осаждаемого на поверхности, достигает 0.4 мг/м 2, в зависимости от концентрации полимера в растворе. Осажденный слой полимера имеет рыхлую структуру, образованную макромолекулами, адсорбированными в конформации клубка |
Х 12 Хабибуллин, Р. А. Технология создания наногетероструктур AL xGa 1 – xAs/In yGA 1 – yAs/Al xGa 1 – xAs на арсениде галлия / Р. А. Хабибуллин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 6-8 : рис. - Библиогр.: с. 8 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТРАНЗИСТОР ПОЛЕВОЙ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРА -- СЛОЙ БАРЬЕРНЫЙ ПОДЗАТВОРНЫЙ ТОНКИЙ Аннотация: Представлены разработка и исследование перспективного материала для наноэлектроники — наногетероструктур с приповерхностными квантовыми ямами AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьерным слоем. Разработан полевой транзистор с частотой усиления по току 110 ГГц. |
В 55 Вишневский, А. С. Исследование влияния структуры нижнего электрода на свойства пленок ЦТС, сформированных методом химического осаждения из растворов / А. С. Вишневский, К. А. Воротилов, О. М. Жигалина, А. Н. Ланцев, Ю. В Подгорный, Д. С. Серегин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 15-20 : рис., табл. - Библиогр.: с. 20 (19 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПОДЛОЖКИ КРЕМНИЕВЫЕ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ЦТС -- ПРОЦЕСС ТЕРМООБРАБОТКИ -- ПЛЕНКИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ -- СТЕКЛО ФОСФОРОСИЛИКАТНОЕ Аннотация: Проведены исследования тонких золь-гель-пленок цирконата-титаната свинца PbZr 0,48Ti 0,52O 3 (ЦТС), сформированных на кремниевых подложках с различными вариантами многослойной структуры Pt /Тi (ТiO 2)/SiO2(ФСС)/Si формирующей нижний электрод сегнетоэлектрического конденсатора. Изучены диффузионные процессы, протекающие в данных гетероструктурах в процессе термообработки, а также роль толщины платины и вспомогательных слоев в формировании кристаллической структуры ЦТС. Установлено, что при кристаллизации ЦТС происходит взаимная диффузия слоев нижнего электрода: нижняя граница Pt размывается, слой Ti (TiO 2) становится толще, Ti диффундирует в Pt и в SiO 2 (ФСС). Использование слоя фосфоросиликатного стекла (ФСС) способствует формированию в пленках ЦТС преимущественной ориентации (100), что ухудшает их поляризационные свойства и ведет к снижению остаточной поляризации до ~10 мкКл/см 2. Нанесение слоя плазмохимического SiO 2 на слой ФСС позволяет стабилизировать границу раздела и улучшить электрические характеристики гетероструктур |
Р 17 Разработка и внедрение нанотехнологий в узлах трения аэрокосмической техники / Д. Г. Громаковский, Е. П. Кочеров, А. Г. Ковшов, М. В. Макарьянц // Нанотехника. - 2012. - № 4. - С. 81-85 : рис., табл. - Библиогр.: с. 85 (4 назв.) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОТЕХНОЛОГИИ -- КОЭФФИЦИЕНТ ТРЕНИЯ -- РЕАКЦИЯ ХИМИЧЕСКАЯ -- ОКСИДЫ -- НАНОЧАСТИЦЫ -- ПОВЕРХНОСТЬ -- ШЕРОХОВАТОСТЬ Аннотация: Разработка и использование нанотехнологий для обеспечения высокой работоспособности узлов трения, функционирующих в условиях космоса и высотных полетов авиации, в настоящее время является одним из наиболее востребованных направлений в научной и инженерной сфере, институтов РАН, головных НИИ отраслей и ВУЗов. На сегодня наиболее продвинуты способы получения наночастиц, используемых в металлургическом цикле, способы имплантации частиц в поверхностный слой трущихся деталей, использование в составе покрытий и присадок для повышения износостойкости и контактной выносливости. В статье рассмотрены технологии, разрабатываемые в целях повышения износостойкости деталей в авиационном двигателестроении и близких к нему узлах трения других машин. Показано, что одно из направлений, обеспечивающих низкое и стабильное трение, снижение нагрева и высокую долговечность поверхностей связано с повышением выносливости поверхностей трения методом диффузионного молекулярного армирования при формоизменении поверхностей, создании поверхностных слоев, модифицированных фтором, применением мультисмазки и др. |
И 88 Исследование чувствительности к этанолу переходов Zno—ZnO:Fe на основе тонких наноструктурированных пленок, полученных с помощью золь-гель-технологии / И. А. Пронин, И. А. Аверин, Д. Ц. Димитров, Л. К. Крастева, К. И. Паназова, А. С. Чаначев // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3 : рис. - Библиогр.: с. 10 (22 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПЛЕНКИ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ ТОНКИЕ ZNO -- СЕНСОР ГАЗОВЫЙ -- ZNO ДОПИРОВАННЫЙ FE -- ЗОЛЬ-ГЕЛЬ-ТЕХНОЛОГИЯ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- ТЕМПЕРАТУРА Аннотация: Исследуется чувствительность к этанолу гомопереходов на основе наноструктуруированнык слоев ZnO— ZnO:Fe, полученных с помощью золь-гель-технологии. В качестве отклика измерялась термоЭДС виртуальной термопары, горячий конец которой представляет собой контакт на слое ZnO вблизи интерфейса ZnO/ZnO:Fe, а холодный — контакт на поверхности ZnO:Fe. Выяснено, что максимальной чувствительностью обладают образцы, верхний слой которых сформирован двумя и тремя погружениями в золь. Тенденция температурной зависимости отклика существенно зависит от толщины верхнего слоя |
Е 50 Елесин, В. Ф. Влияние уровня в спейсере эмиттера на пиковый ток резонансно-туннельного диода / В. Ф. Елесин, М. А. Ремнев // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 85-88 : рис. - Библиогр.: с. 88 (19 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД -- ТОК -- ДИОД -- РЕЗОНАНС -- ШРЕДИНГЕР -- СЛОЙ ЭМИТТЕРА СПЕЙСЕРНОГО Аннотация: При помощи численного решения уравнения Шредингера была исследована зависимость пикового тока на вольт-амперной характеристике резонансно-туннельного диода от толщины спейсерного слоя эмиттера. Эта зависимость имеет ярко выраженные максимумы. Причем пиковый ток в максимумах намного превышает пиковый ток в отсутствии спейсера. Был выяснен механизм образования максимумов. Они связаны с перекрытием уровня в треугольной яме, образованной спейсерным слоем эмиттера, и резонансным уровнем квантовой ямы. Исследование влияния межэлектронного взаимодействия на полученный эффект показало, что взаимодействие практически не влияет на пиковый ток в прямом направлении приложения напряжения и несколько уменьшает его в обратном |
Х 58 Хлопов, Б. В. Исследование эффекта мультипликации электромагнитных полей в устройствах бесконтактного стирания информации с электронных носителей с использованием нанокомпозитов на основе опаловых матриц / Б. В. Хлопов, М. И. Самойлович, В. Бовтун // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 7. - С. 6-13 : рис. - Библиогр.: с. 13 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОКОМПОЗИТЫ -- ПОЛЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ -- СКОРОСТЬ ФАЗОВАЯ -- НАНОЧАСТИЦЫ -- СЛОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ -- УСТРОЙСТВО СТИРАЮЩЕЕ Аннотация: Исследованы свойства образцов метаматериалов на основе опаловых матриц для устройств бесконтактного стирания информации с электронных носителей. Разработан метод оценки восприимчивости к магнитным полям образцов композитных материалов при воздействии на них внешними электромагнитными полями. Приведены экспериментальные результаты эффекта мультипликации для электромагнитных полей в полеобразующей системе устройства стирания информации на частотах ниже 500 кГц. Экспериментально подтверждено, что в диапазоне частот до 500 кГц электромагнитная восприимчивость испытуемых образцов меняется, влияя на значение напряженности электромагнитного поля в полеобразующей системе устройства стирания информации. Приведены экспериментальные характеристики пространственного мультиплицирования электромагнитных полей на полупроводниковый носитель информации |
С 29 Селективное травление меди в технологии анализа отказов ИМС с проводниками на основе меди / Р. А. Милованов, Е. А. Кельм, О. А. Косичкин, Н. А. Ляпунов // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 30-32. - Библиогр.: с. 32 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АНАЛИЗ ОТКАЗОВ -- СИСТЕМА МЕЖСОЕДИНЕНИЙ -- МЕДЬ -- ЖИДКОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- СУХОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ДИФФУЗИОННО-БАРЬЕРНЫЙ СЛОЙ Аннотация: Одним из этапов анализа отказов микросхем с системой межсоединений на основе меди является удаление слоя проводников. При этом основным требованием, которое предъявляется к процедуре травления, является селективность к диффузионно-барьерному слою, обеспечивающая полное удаление слоя проводников без повреждения нижележащего слоя. В работе рассмотрены подходы по селективному травлению медных проводников на основе использования методов жидкого и сухого травления. Результаты исследований показаны на примере кристаллов ПЛИС Virtex-4 фирмы Xilinx |
С 89 Суперконденсатор на основе УНТ с использованием псевдоемкости тонких слоев оксидов металлов / В. А. Галперин, Д. Г. Громов, Е. П. Кицюк, А. М. Маркеев, Е. А. Лебедев, А. Г. Черникова, С. В. Дубков // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 33-36 : рис., граф. - Библиогр.: с. 36 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СУПЕРКОНДЕНСАТОР -- ДВОЙНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СЛОЙ -- ПСЕВДОЕМКОСТЬ -- УГЛЕРОДНЫЕ НАНОТРУБКИ -- АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ Аннотация: Исследуется роль псевдоемкости в повышении суммарной емкости суперконденсаторов. Продемонстрировано многократное увеличение емкости суперконденсаторов с электродами на основе углеродных нанотрубок, покрытых тонким слоем Al 2O 3 и TiO 2, наносимых методом атомно-слоевого осаждения |