Б 43 Белозубов, Е. М. Методы и средства минимизации влияния нестационарных температур в МЭМС-структурах тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления [Текст] / Е. М. Белозубов, Н. Е. Белозубова // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 3. - С. 28-34 : рис. - Библиогр.: с. 34 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МЭМС-СТРУКТУРА -- ДАТЧИКИ ДАВЛЕНИЯ -- ТЕНЗОРЕЗИСТОРЫ |
Г 59 Годовицын, И. В. Перспективная конструкция миниатюрного тензорезистивного преобразователя давления / И. В. Годовицын // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 10. - С. 2-8 : рис., табл. - Библиогр. : с. 8 (32 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПРЕОбРАЗОВАТЕЛИ ДАВЛЕНИЯ МИНИАТЮРНЫЕ -- ТЕХНОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ МИКРООБРАБОТКИ Аннотация: Предлагается конструкция миниатюрного тензорезистивного преобразователя давления на КНИ-структуре. Преобразователь имеет тензорезисторы из монокристаллического кремния и мембрану из полиметаллического кремния, что позволяет совместить в конструкции достоинства традиционных и миниатюрных преобразователей давления - высокую чувствительность и маленькие габаритные размеры. Доведен расчет основных параметров преобразователя с помощью конечно-элементного моделирования. Доведен анализ параметров предложенного преобразователя в сравнении с преобразователями других типов |
М 61 Миниатюрный тензорезистивный преобразоватеаь давления с высокой чувствительностью / И. В. Головицын, В. В. Амеличев, В. В. Панков, А. Н. Сауров // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 26-29 : рис., табл. - Библиогр.: с. 29 (19 назв.) . -
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТЕНЗОРЕЗИСТОРЫ -- ТЕХНОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ МИКРООБРАБОТКИ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ДАВЛЕНИЯ МИНИАТЮРНЫЕ Аннотация: Описана разработка технологического маршрута и изготовление миниатюрного преобразователя давления на КНИ-структуре, предложенного ранее. Преобразователь имеет тензорезисторы из монокристаллического кремния и мембрану из поликристаллического кремния. Структура преобразователя формируется с помощью технологии поверхностной микрообработки с применением односторонней обработки пластины. Изготовлены два варианта преобразователя - с кольцевым концентратором напряжений на мембране, сформированным из пассивирующего слоя толщиной 1,2 мкм, и без концентратора. Проведены измерения основных параметров преобразователя при температуре +20, -50 и +60 °С. Оба варианта демонстрируют чувствительность около 24 мВ-(В•атм)-1. Проведен анализ параметров преобразователей с точки зрения влияния технологических факторов |
О-62 Оптимизация конструкции чувствительного элемента давления с распределенным жестким центром с помощью компьютерного трехмерного моделирования / А. И. Артемова, Ю. А. Михайлов, В. В. Панков, В. С. Суханов // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 7. - С. 34-37 : граф. - Библиогр.: с. 37 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МЭМС ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ (ЧЭ) -- ТЕНЗОРЕЗИСТОРЫ -- ЖЕСТКИЙ ЦЕНТР -- КОНЕЧНО-ЭЛЕМЕНТНЫЙ АНАЛИЗ Аннотация: Представлен метод оптимизации конструкции кремниевого чувствительного элемента (ЧЭ) давления с распределенным жестким центром. С помощью компьютерного трехмерного моделирования были созданы несколько конструкций ЧЭ с различными вариантами исполнения жесткого центра. С помощью программного комплекса ANSYS было проведено моделирование конструкций ЧЭ при разных приложенных давлениях методом конечных элементов. Полученные выходные значения чувствительности и нелинейности характеристики позволяют сравнить конструкции ЧЭ и выбрать наиболее оптимальный вариант исполнения изделия |