О-75 Особенности характеристик КНИ полевых датчиков Холла с двучзатворной управляющей системой типа металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл [Текст] / М. Л. Бараночников [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 12. - С. 45-48 : рис. - Библиогр. : с. 48 (6 назв.)
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КНИ-СТРУКТУРА -- ПОЛЕВОЙ ДАТЧИК ХОЛЛА -- ДВУХЗАТВОРНАЯ УПРАВЛЯЮЩАЯ СИСТЕМА -- МОП-ТРАНЗИСТОР -- ТОК-ЗАТВОРНЫЕ И ХОЛЛ-ЗАТВОРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Аннотация: Проведены измерения ток-затворных и холл-затворных характеристик КНИ полевых датчиков Холла с двухзатворной управляющей системой типа металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл. Продемонстрирована возможность управления характеристиками КНИ ПДХ путем раздельного и совместного упрваления потенциалами затворов. |
669.3 А 39 Ахкубеков, Анатолий Амишевич. Контактное плавление металлов и наноструктур на их основе [] : монография / А. А. Ахкубеков, Т. А. Орквасов, В. А. Созаев. - М. : Физматлит, 2008. - 147 с. : ил. - Библиогр.: с. 128-147. - ISBN 978-5-9221-0939-0 : 188.80 р.
Рубрики: ТЕХНОЛОГИЯ МЕТАЛЛОВ. МАШИНОСТРОЕНИЕ. ПРИБОРОСТОЕНИЕ--МЕТАЛЛУРГИЯ--МЕТАЛЛОВЕДЕНИЕ |
А 23 Агафонов, В. М. Измерительные устройства на основе молекулярно-электронного переноса в микро- и наноструктурах / В. М. Агафонов, В. Г. Криштон, М. В. Сафонов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 6 . - С. 47-53 : рис. - Библиогр. : с. 53 (22 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТЕХНОЛОГИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЭЛЕКТРОННАЯ -- ПЕРЕНОС МОЛЕКУЛЯРНО-ЭЛЕКТРОННЫЙ -- МИКРОАКСЕЛЕРОМЕТРЫ Аннотация: Важнейшим достоинством преобразователей, созданных на базе молекулярно-электронной технологии, является исключительно высокая крутизна преобразования механического сигнала в электpический ток. В основе действия приборов данного класса лежит принцип диффузионного переноса заряда в условиях вынужденной конвекции, возникающей действии внешнего ускоpе-ния. В данной работе показана возможность создания современных высокоточных микроакселерометров, основанных на молекулярно-электронном переносе (МЕТ - molecular-electron transfer) в наностpуктуpах |
Э 45 Электрические свойства нанокластеров меди в микропорах серебряного контакта кремниевого солнечного элемента / Т. В. Козарь, Н. А. Карапузова [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 7-8. - С. 121-124 : рис. - Библиогр. : с.124 (7 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОКЛАСТЕРЫ МЕДИ -- СВОЙСТВА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И МОРФОЛОГИЧЕСКИЕ -- ЭЛЕМЕНТ СОЛНЕЧНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ Аннотация: Гетерогенные медно-серебряные контактные полоски солнечных элементов изготовлены химическим осаждением малых частиц меди на поверхность и в микропоры серебра. Кластеры меди равномерно покрывают поверхность серебра и проникают в поры на всю глубину серебряного контакта солнечного элемента на основе кристаллического кремния. Исследованы морфологические и электрические свойства контактных полосок из пористого серебра. В пористом металле обнаружены световые токи 450, 900 мкА и темновой ток 5 мкА при отсутствии внешнего электрического поля |
М 92 Мухуров, Н. И. Теоретическое моделирование плоскопараллельных двухэлектродных микроактюаторов / Н. И. Мухуров, Г. И. Ефремов, С. П. Жвавый // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 1. - С. 15-23 : рис. - Библиогр. : с. 23 (16 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МИКРОАКТЮАТОР -- НАПРЯЖЕНИЕ -- ТОК -- ЗАРЯД -- КОНСТРУКЦИЯ ПЛАНАРНАЯ Аннотация: Предложен обобщенный метод расчета двухэлектродных электромеханических актюаторов. Определены основные соотношения электрических и механических сил в электростатических, электротоковых, электрозарядных актюаторах в полном рабочем цикле. Приведены соответствующие графические зависимости расчетов в конфетных вариантах конструкции |
Ф 94 Мухуров, Н. И. Функциональные возможности электротоковых микрореле / Н. И. Мухуров, Г. И. Ефремов, С. П. Жвавый // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 3. - С. 39-42 : рис. - Библиогр. : с. 42 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МИКРОРЕЛЕ ЭЛЕКТРОТОКОВОЕ -- ТОК ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ -- СИЛЫ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ И РЕАКТИВНЫЕ -- КОНСТРУКЦИЯ ПЛАНАРНО-ОБЪЕМНАЯ Аннотация: Предложена конструкция и метод теоретического моделирования электротоковых микpоpеле с меандровыми токовыми участками при равенстве и неравенстве токов. Установлено, что базовая функция в нормированном виде графически представляет собой симметричную параболу с координатами экстремальной точки m0 =0,5 и I* = 0,5. Рассмотрена эффективность переключения векторов сил электромагнитных полей с притяжения при прямом ходе на отталкивание при обратном ходе, возможность использования емкостного оперативного контроля параметров |
М 54 Метод измерения тока переключения и диэлектрических параметров сегнетоэлектриков / Е. А. Печерская [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 1. - С. 24-26 : рис. - Библиогр. : с. 26 (9 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТОК ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК -- ПОЛЯРИЗАЦИ\Я СПОНТАННАЯ -- МЕТОД ИЗМЕРЕНИЙ -- СХЕМА СОЙЕРА-ТАУЭРА Аннотация: Проанализирован метод косвенного измерения диэлектрических параметров сегнеmоэлекmриков, основанный на измерении временной зависимости тока переключения с помощью схемы Сойера-Тауэра. Приведены формулы для расчета времени переключения, активного сопротивления, обусловливающего потери энергии при спонтанной поляризации, емкости, поляризованносmи |
К 58 Кожушнер, М. А. Молекулярный холодильник и термоэлектрические явления в условиях туннельно-резонансной проводимости / М. А. Кожушнер // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 1-2. - С. 46-51. - Библиогр.: с. 51 (33 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХОЛОДИЛЬНИК МОЛЕКУЛЯРНЫЙ -- ПРОВОДИМОСТЬ ТУНЕНЕЛЬНО-РЕЗОНАНСНАЯ -- ЯВЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ -- МЕТАЛЛ-МОЛЕКУЛА-МЕТАЛЛ -- ТОК РЕЗОНАНСНЫЙ -- КОЭФФИЦИЕНТ ПЕЛЬТЬЕ -- НАПРЯЖЕНИЕ -- ЭЛЕКТРОД -- КОЭФФИЦИЕНТ ЗЕЕБЕКА Аннотация: Развита теория термоэлектрических явлений в цепи металл-молекула-металл в случае осуществления резонансной проводимости через молекулу. Показано, что резонансный ток может охлаждать один из электродов при напряжениях, когда резонансный уровень несколько не доходит до уровня Ферми: при электронном резонансе электронный уровень выше уровня Ферми охлаждающегося катода, а при дырочном резонансе дырочный уровень ниже уровня Ферми охлаждающегося анода. Охлаждающий электрод поток энергии пропорционален резонансному току, и каждый электрон тока уносит из соответствующего электрода энергию несколько больше kT. Такой молекулярный холодильник эффективен, пока kT больше, чем полная ширина резонансного уровня. Найдены коэффициенты Пельтье и Зеебека для случая, когда резонансный уровень близок к уровню Ферми уже при нулевом напряжении |
Е 50 Елесин, В. Ф. Переходные процессы в резонансно-туннельном диоде с учетом межэлектронного взаимодействия / В. Ф. Елесин, И. Ю. Катеев, А. Ю. Сукочев // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 81-84 : рис. - Библиогр.: с. 84 (14 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДИОД РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ -- ПРОЦЕССЫ ПЕРЕХОДНЫЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖЭЛЕКТРОННОЕ -- ТОК -- РТД -- РЕЗОНАНС Аннотация: Исследовано влияние сильного межэлектронного взаимодействия на переходные процессы в резонансно-туннельном диоде (РТД). С помощью численного решения уравнения Шредингера в приближении Хартри рассчитан нестационарный ток, возникающий в РТД при мгновенном переключении напряжения смещения и включении потока. Рассчитан переход РТД при наличии гистерезиса из состояния с большим током в состояние с малым током. Изучен характер и найдено время этого перехода. Показано, что при скачках напряжения, больших ширины уровня Г, возможно очень быстрое переключение за времена порядка 10-13 c и РТД может быть использован как сверхбыстрый переключатель. Найдено, что установление процессов конструктивной интерференции в квантовой яме и деструктивной в эмиттере происходит за времена порядка 5/Г |
Е 50 Елесин, В. Ф. Влияние уровня в спейсере эмиттера на пиковый ток резонансно-туннельного диода / В. Ф. Елесин, М. А. Ремнев // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 85-88 : рис. - Библиогр.: с. 88 (19 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД -- ТОК -- ДИОД -- РЕЗОНАНС -- ШРЕДИНГЕР -- СЛОЙ ЭМИТТЕРА СПЕЙСЕРНОГО Аннотация: При помощи численного решения уравнения Шредингера была исследована зависимость пикового тока на вольт-амперной характеристике резонансно-туннельного диода от толщины спейсерного слоя эмиттера. Эта зависимость имеет ярко выраженные максимумы. Причем пиковый ток в максимумах намного превышает пиковый ток в отсутствии спейсера. Был выяснен механизм образования максимумов. Они связаны с перекрытием уровня в треугольной яме, образованной спейсерным слоем эмиттера, и резонансным уровнем квантовой ямы. Исследование влияния межэлектронного взаимодействия на полученный эффект показало, что взаимодействие практически не влияет на пиковый ток в прямом направлении приложения напряжения и несколько уменьшает его в обратном |
В 93 Высокочувствительный магниторезистивный сенсор для современных приборов считывания информации / В. В. Амеличев, В. Г. Сницар, Д. В. Костюк, С. И. Касаткин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 38-39 : рис. - Библиогр.: с. 39 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТОК ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ -- ПРИБОР СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ -- СЕНСОР -- СЕНСОР МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ -- ПРОВОДНИК Аннотация: Представлены конструкция и принцип действия высокочувствительного магниторезистивного сенсора для применения в современных приборах считывания информации. Проведен анализ и сделан вывод о практической значимости разрабатываемого сенсора для бесконтактного контроля слабых магнитных полей от проводников с током, находящихся в составе плат и микросхем |
Д 37 Деспотули, А. Л. Ток смещения Максвелла в наноионике и собственные ион-транспортные свойства модельных 1D-наноструктур / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 8. - С. 2-9 : рис. - Библиогр.: с. 9 (24 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОИОНИКА -- 1D-НАНОСТРУКТУРЫ МОДЕЛЬНЫЕ -- ТОК СМЕЩЕНИЯ МАКСВЕЛЛА -- СВОЙСТВА НАНОСТРУКТУР -- МОДЕЛИРОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЕ -- СУММА ИМПЕДАНСОВ -- НАНОСТРУКТУРЫ Аннотация: Структурно-динамический подход, предложенный ранее для описания процессов ионного транспорта в области идеально поляризуемых гетеропереходов твердый электролит/электронный проводник, обобщен на собственные ион-транспортные свойства модельных 1D-наноструктур, представляющих собой последовательность потенциальных барьеров разной высоты. Введено понятие тока смещения Максвелла на потенциальном барьере. В компьютерных экспериментах обнаружено: 1) выполнение закона Ома для наиболее высоких барьеров, дающих основной вклад в импеданс наноструктуры; 2) импеданс наноструктуры может быть представлен суммой импедансов отдельных барьеров (аналог закона Кирхгофа); 3) частотные зависимости отношения "ток смещения Максвелла ток ионной проводимости" для различных барьеров наноструктуры соответствуют экспериментальным данным по частотному поведению Re- и Im-компонент адмитанса разупорядоченных твердых тел, в том числе в режиме "near constant loss" |
И 60 Индуктивные свойства микроскопического проводящего кольца с плотностью вихревого тока азимутального направления / В. Г. Сапогин, Н. Н. Прокопенко, В. И. Марчук, В. Г. Манжула, А. С. Будяков // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 1. - С. 22-26. - Библиогр.: с. 26 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ВНОСИМАЯ ИНДУКТИВНОСТЬ -- ИНДУКЦИЯ -- МИКРОСКОПИЧЕСКОЕ КОЛЬЦО -- ВИХРЕВОЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛЕ -- ПЕРЕМЕННЫЙ ТОК -- ПОТОК МАГНИТНОГО ПОЛЯ Аннотация: Предложен аналитический метод расчета индукционных и индуктивных свойств микроскопического проводящего кольца с азимутальной плотностью вихревого тока. Метод не ограничен по частоте и позволяет: рассчитать радиальные распределения азимутальной компоненты вектора напряженности вихревого электрического поля, плотности токов Фуко; определить зависимости среднего значения ЭДС в кольце, индукционного тока и интегрального омического сопротивления от приведенного радиуса полости кольца; вычислить с точки зрения энергетики индуктивность, вносимую проводящим кольцом, для исследуемых электромагнитных полей, в которых между током и потоком существует конечный фазовый сдвиг. Оценки, проведенные для существующих проводников и полупроводников, указывают на то, что больших значений индуктивности микроскопических колец можно добиться на низких частотах для материалов с малым удельным сопротивлением и малых значений индуктивности — на СВЧ и КВЧ для материалов с большим удельным сопротивлением. |
Д 37 Деспотули, А. Л. Ток смешения Максвелла и "универсальный" динамический отклик в наноионике / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 3-10. - Библиогр.: с. 8-9 (45 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОИОНИКА -- СТРУКТУРНО-ДИНАМИЧЕСКИЙ ПОДХОД -- ТОК СМЕЩЕНИЯ МАКСВЕЛЛА НА ПОТЕНЦИАЛЬНОМ БАРЬЕРЕ -- УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ДИНАМИЧЕСКИЙ ОТКЛИК Аннотация: Введение понятия тока смещения Максвелла на потенциальном барьере при использовании структурно-динамического подхода наноионики позволяет дать детальное описание коллективного явления - взаимосвязанных ион-транспортных и диэлектрик-поляризационных процессов, определяющих формирование и релаксацию пространственного ионного заряда в неоднородном на наномасштабе потенциальном рельефе. В компьютерных экспериментах исследовано распределение локальных токов смещения Максвелла в области идеально поляризуемого когерентного гетероперехода передовой суперионный проводник (ПСИП)/электронный проводник, заряжаемого в гальваностатическом режиме. Другим объектом исследования являлась модельная наноструктура, которая представляет собой прослойку твердого электролита (ТЭ) между двумя ПСИП, образующими с ТЭ когерентные границы. Для экспоненциального распределения высот потенциальных барьеров в этой наноструктуре обнаружен джоншеровский универсальный динамический отклик Res*(w) µ w n (n < 1) в поведении реальной части частотно-зависимой комплексной проводимости s*(w). Дана однозначная интерпретация природы динамического отклика |
Р 75 Росляков, А. С. Исследование возможности создания низкопотребляющих СФ блоков для решения конечно-разностных уравнений в преобразованиях низкочастотных сигналов / А. С. Росляков // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 10-11 : граф. - Библиогр.: с. 11 (2 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НИЗКОПОТРЕБЛЯЮЩИЕ СФ БЛОКИ -- ДИСКРЕТНАЯ СИСТЕМА -- СХЕМЫ НА ПЕРЕКЛЮЧАЕМЫХ КОНДЕНСАТОРАХ Аннотация: Преобразование низкочастотного сигнала традиционно можно осуществить двумя способами: цифровым и аналоговым. В статье рассматривается исследование возможности создания низкопотребляющих сложно-функциональных (СФ) блоков для аналогового преобразования низкочастотных сигналов. Применение в конечно-разностных уравнениях схем на переключаемых конденсаторах позволяет снизить потребление за счет отсутствия аналого-цифрового преобразователя. Использование различных схемотехнических решений может значительно уменьшить ток потребления СФ блоко |
К 52 Клюев, А. В. Источники фликкерного шума в полупроводниковых наноразмерных светоизлучающих структурах на основе GaAs и его твердых растворов / А. В. Клюев // Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 1. - С. 42-48 : граф. - Библиогр.: с. 48 (3 назв.) Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): 1/F ШУМ -- ЛАЗЕРЫ -- СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ -- КВАНТОВЫЕ ЯМЫ -- КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ -- ТОК УТЕЧКИ Аннотация: Приведены результаты исследования спектра фликкерного 1/f шума светоизлучающих диодов и лазеров, имеющих наноразмерную структуру на основе арсенида галлия и его твёрдых растворов разного состава |
А 28 Адаптивная коррекция зондирующего тока для систем локального электрохимического экспресс-анализа / М. С. Липкин, С. М. Липкин, А. А. Ханавова, Н. В. Раров // Нанотехнологии. Наука и производство. - 2014. - № 3 (30). - С. 66-68 . - ISSN 2306-0581 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЗОНДИРУЮЩИЙ ТОК -- ЭКСПРЕСС-АНАЛИЗ |