648.4 А 47 Алексенко, Андрей Геннадьевич. Основы микросхемотехники [] : учебное пособие / А. Г. Алексенко. - 3-е изд. - М. : Лаборатория Базовых Знаний: ФИЗМАТЛИТ: ЮНИМЕДИАСТАЙЛ, 2002. - 448 с. : ил. - (Технический университет). - Библиогр.: с. 438-442. - Указ.: с. 443-448. - ISBN 5-94774-002-8 : 136.40 р. РУБ 648.4 Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ Кл.слова (ненормированные): МИКРОПРОЦЕССОРЫ (ОСНОВЫ) -- МИКРОСХЕМОТЕХНИКА (РАДИОЭЛЕКТРОНИКА) -- МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ -- НАНОСТРУКТУРЫ (ПРИМЕНЕНИЕ) -- НАНОТЕХНИКА (ОСНОВЫ) -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА (ПРИМЕНЕНИЕ) -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ (СХЕМЫ) -- РАДИОТЕХНИКА (ОСНОВЫ) -- СТАБИЛИЗАТОРЫ ИМПУЛЬСНЫЕ -- СТАБИЛИЗАТОРЫ ЛИНЕЙНЫЕ -- СХЕМОТЕХНИКА (ЭЛЕКТРОНИКА) -- СХЕМЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ (ОСНОВЫ) -- ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ (ЭЛЕКТРОНИКА) -- ТРИГГЕРЫ -- УСИЛИТЕЛИ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ |
539.2 Ф 50 Физика низкоразмерных систем [] : учеб. пособие для вузов / Под общ. ред. В. И. Ильина, А. Я. Шика. - СПб. : Наука, 2001. - 155 с. : ил. - (Федеральная целевая программа "Государственная поддержка интеграции высшего образования и фундаментальной науки"). - (Новые разделы физики полупроводников). - Прил.: с. 148-149. - Библиогр.: с. 150-153. - ISBN 5-02-024966-1 : 30.00 р. РУБ 539.2 Рубрики: ФИЗИКА--ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ Кл.слова (ненормированные): КВАНТОВАНИЕ СТРУКТУР (ФИЗИКА) -- МОДУЛЯТОРЫ ОПТИЧЕСКИЕ (НАНОСТРУКТУРЫ) -- НАНОСТРУКТУРЫ (ПРИМЕНЕНИЕ) -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА (ПРИМЕНЕНИЕ) -- НИТИ КВАНТОВЫЕ (ФИЗИКА) -- СТРУКТУРЫ НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ (ФИЗИКА) -- ТРАНЗИСТОРЫ ОДНОЭЛЕКТРОННЫЕ (НАНОСТРУКТУРЫ) -- ФИЗИКА НАНОСТРУКТУР -- ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ЯМЫ КВАНТОВЫЕ (ФИЗИКА) |
648.4 G 66 Goser, Karl. Nanoelectronics and Nanosystems. From Transistors to Molecular and Quantum Devices [Text] : научное издание / K. Goser, P. Glosekotter, J. Dienstuhl. - Berlin [et al.] : Springer, 2004. - XII, 281 с. : ил. - (Engineering Online Library). - Библиогр.: с. 273-276. - Указ.: с. 277-281. - ISBN 3-540-40443-0 : 1288.00 р.
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА Кл.слова (ненормированные): НАНОТЕХНОЛОГИИ (ИССЛЕДОВАНИЯ) -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА (ИССЛЕДОВАНИЯ) -- ТРАНЗИСТОРЫ ОДНОЭЛЕКТРОННЫЕ (НАНОСТРУКТУРЫ) -- ЭЛЕКТРОНИКА (НАНОТЕХНОЛОГИИ) -- КОМПЬЮТЕРЫ (НАНОСТРУКТУРЫ) -- ЭЛЕКТРОНИКА КВАНТОВАЯ |
Ч-80 Что год грядущий нам готовит? 32 нм! [Текст] // Нанотехнологии: наука и производство. - 2008. - № 1. - С. 17-19
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ -- ТРАНЗИСТОРЫ -- КВАНТОВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ Аннотация: Прошедший 2007 год стал дважды знаменательным для полупроводниковой промышленности. Во-первых, благодарное человечество отметило знаменательную дату - 60-летие открытия транзистора, положившее начало современной компьютерной техники. Во-вторых, компания Intel совершила истинный прорыв в конструировании и технологии транзисторов, фактически создав новую технологию |
А 28 Адамов, Д. Ю. Усовершенствование структур моп-транзисторов в нанометровых технологиях [Текст] / Д. Ю. Адамов, О. С. Матвеенко // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 2. - С. 47-53 : рис. - Библиогр.: с. 62-63 919 назв) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОП-ТРАНЗИСТОРЫ -- НАПРЯЖЕНИЕ |
М 91 Мустафаев, Ар. Г. Проблемы масштабирования затворного диэлектрика для моп-технологии [Текст] / Ар. Г. Мустафаев, Аб. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 4. - С. 17-22 : граф. - Библиогр.: с. 21-22 (31 назв) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МАСШТАБИРОВАНИЕ -- МОП-ТРАНЗИСТОРЫ -- ЗАТВОР |
М 91 Мустафаев, Ар. Г. Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии [Текст] / Ар. Г. Мустафаев, Аб. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 9. - С. 44-46 : рис. - Библиогр.: с. 46 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ -- ЭПИТАКСИЯ ИЗ ТВЕРДОЙ ФАЗЫ -- РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ДЕФФЕКТОВ |
648.5 Д 33 Денисенко, Виктор Васильевич. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике [] : монография / В. В. Денисенко. - М. : Физматлит, 2010. - 407, [1] с. : граф., табл. - Библиогр.: с. 372-401. - ISBN 978-5-9221-1200-0 : 462.00 р.
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ЭЛЕКТРОНИКА |
541.1 Г 12 Габуда, Святослав Петрович. Неподеленные электронные пары и химическая связь в молекулярных и ионных кристаллах. Мультиядерная ЯРМ-спектроскопия, магнетохимия, электронные корреляционные взаимодействия и релятивистские эффекты [] : монография / С. П. Габуда, С. Г. Козлова ; отв. ред. В. М. Бузник ; РАН, СО, Ин-т неорг. химии им. А. В. Николаева. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2009. - 164 с. : граф., ил., табл. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 158-159. - ISBN 978-5-7692-1080-8 : 350.00 р.
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ--ФИЗИЧЕСКАЯ ХИМИЯ |
648.4 З-47 Зебрев, Геннадий Иванович. Физические основы кремниевой наноэлектроники [] : учеб. пособие для вузов / Г. И. Зебрев. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. - 240 с. - (Нанотехнологии). - Библиогр.: с. 225-232. - ISBN 978-5-9963-0181-2 : 240.00 р. Прил.: с. 233-234
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ |
У 59 Универсальный приемник дифференциальных сигналов для программируемых микросхем / Ю. Ф. Адамов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 44-46 : рис., табл. - Библиогр. : с. 46 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПРИЕМНИК ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫХ СИГНАЛОВ -- МИКРОСХЕМЫ ПРОГРАММИРУЕМЫЕ -- ИНТЕРФЕЙСЫ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЕ ЦИФРОВЫЕ -- ТРАНЗИСТОРЫ ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ Аннотация: Описана новая схема приемника дифференциальных сигналов, работоспособная в диапазоне синфазного смещения сигналов от нуля до напряжения питания. Схема реализована в тестовом кристалле на основе БиКМОП-технологии с гетероструктурными биполярными транзисторами со слоями кремний-германий |
М 74 Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs / Д. С. Пономарев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 16-19 : рис., табл. - Библиогр. : с. 19 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- СВЧ ТРАНЗИСТОРЫ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ ТИПА А3В5 Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InР с составной квантовой ямой (КЯ) InGaAs с нановставками InAs и GaAs. С помощью эффекта Шубникова - де Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы m*с с учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в КЯ нановставками InAs позволяет уменьшить m*с на 26 % по сравнению с КЯ In0,53Ga0,47As |
539.2 Ф 50 Физика низкоразмерных систем [] = Low dimensional Systems : [Второй] междунар. симпозиум, 3-8 сентября 2010 г., г. Ростов-н/Д - пос. Лоо, Россия. - Ростов н/Д : [СКНЦ ВШ ЮФУ АПСН], 2010. - 323, [1] с. - Библиогр. в конце ст. - ISBN 978-5-87872-560-6 : 30.00 р.
Рубрики: ФИЗИКА--ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ--КОНФЕРЕНЦИИ |
539.2 Ф 50 "Физика низкоразмерных систем и поверхностей", Международный междисциплинарный симпозиум" (1 ; Ростов-на-Дону). Первый Международный междисциплинарный симпозиум "Физика низкоразмерных систем и поверхностей" [] = Low dimensional Systems : труды, 5-9 сент. 2008 г., Ростов н/Д - п. Лоо / "Физика низкоразмерных систем и поверхностей", Международный междисциплинарный симпозиум" (1 ; Ростов-на-Дону). - Ростов н/Д : [СКНЦ ВШ ЮФУ АПСН], 2008. - 376 с. - Библиогр. в конце ст. - ISBN 978-5-87872-560-6 : 30.00 р.
Рубрики: ФИЗИКА--ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ--КОНФЕРЕНЦИИ |