Ф 81 Фотоприемники и фотоприемные устройства для спектрального диапазона 0,19...1,1 мкм на фотодиодах из кремния и твердых растворов InGaN / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 30-40 : табл., рис. - Библиогр.: с. 40 (19 назв.) . -
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ INGAN -- ФОТОДИОДЫ КРЕМНИЕВЫЕ -- ФОТОПРИЕМНИКИ -- P-I-N-ФОТОДИОДЫ Аннотация: Проведен анализ современного состояния и тенденций развития фотоприемников и фотоприемных устройств для спектрального диапазона 0,19...1,1 мкм на основе кремниевыхp-n- и p-i-n-фотодиодов и фотодиодов на основе твердых растворов InGa |
Д 38 Детекторы ультрафиолетового диапазона на основе p-i-n-структур из соединения AlGaN / И. Д. Бурлаков, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Л. Я. Гринченко // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 46-54 : рис., табл. - Библиогр.: с. 54 (20 назв.) . -
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ALGAN -- P-I-N-СТРУКТУРЫ -- ФОТОДИОДЫ -- "ВИДИМО-СЛЕПОЙ" -- "СОЛНЕЧНО-СЛЕПОЙ" -- УСТРОЙСТВА ФОТОПРИЕМНЫЕ МАТРИЧНЫЕ -- ДИАПАЗОН УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫЙ Аннотация: Проведен анализ технологий и характеристик "солнечно-слепых" и "видимо-слепых" детекторов на основе p-i-n-структур из AlGaN. Описаны матричные фотоприемные устройства, разработанные на основе p-i-n-фотодиодов, а также исследования, посвященные созданию лавинных фотодиодов на основе p-i-n-структур из AlGaN |