Г 13 Газовый сенсор на основе углеродных нанотрубок [Текст] // Нанотехнологии: наука и производство. - 2008. - № 1. - С. 28
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ГАЗОВЫЕ СЕНСОРЫ -- УГЛЕРОДНЫЕ НАНОТРУБКИ Аннотация: Высокая чувствительность электронных характеристик к присутствию молекул, сорбированных на поверхности, а также рекордная величина удельной поверхности, способствующая такой сорбции, делают углеродные нанотрубки (УНТ) перспективной основой для создания сверхминиатюрных сенсоров, определяющих содержание газовых примесей в атмосфере |
Э 45 Электромеханические преобразователи сенсорных микро- и наносистем: физические основы и масштабные эффекты. Часть 2. Детекторы, источники и характеристики шумов [Текст] / П. Г. Бабаевский [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 12. - С. 27-37 : рис. - Библиогр. : с. 37 (25 назв.)
Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): СЕНСОРНЫЕ МЭМС -- НЭМС -- ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ -- ДЕТЕКТОРЫ -- ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ -- МАСШТАБНЫЕ ЭФФЕКТЫ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- РАЗРЕШАЮЩАЯ СПОСОБНОСТЬ -- ШУМЫ -- СПЕКТРАЛЬНАЯ ПЛОТНОСТЬ ФЛУКТУАЦИЙ Аннотация: Во второй части обзора, посвященной аналитическому описанию емкостных, пьезорезистивных, оптоэлектронных и туннельных детекторов электромеханических преобразователей сенсорных микро- и наносистем, показано, что наиболее перспективными при переходе от микро- к наносистемам являются туннельные детекторы. Однако, в них резко проявляются побочные физико-химические, в первую очередь адгезионные и капиллярные, эффекты и силы. При переходе к наномасштабу в основных элементах электрохимических преобразователей существенную роль начинают играть различные флуктуационные процессы, в частности, термомеханичекие, температурные и адсорбционно-десорбционные в чувствительных механических элементах и электрические - в туннельных детекторах. Эти процессы в решающей степени определяют характер и величину помех (шумов) , соответственно, чувствительность и разрешающую способность сенсорных наносистем. |
М 17 Максимов, Е. М. К вопросу о чувствительности многослойного тонкопленочного магниторезистивного датчика / Е. М. Максимов // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 12. - С. 45-49 : рис. - Библиогр. : с. 49 (2 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПОЛЕ МАГНИТНОЕ -- ДАТЧИК МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- СХЕМОТЕХНИКА |
М 59 Микросенсор для контроля остаточного давления на основе периодического теплового режима / О. С. Бохов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 14-17 : рис. - Библиогр. : с. 17 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ , 20-21 вв. Кл.слова (ненормированные): МИКРОСЕНСОР -- ДАВЛЕНИЕ -- МЭМС Аннотация: Существующие чувствительные элементы для измеpения давления ниже атмосфеpного обладают узким диапазоном измеpения, высокой погpешностью и огpаниченным сpоком службы, что связано как с констpуктивными, так и с методическими особенностями датчиков. предложена методика, основанная на исследовании пеpиодического теплового pежима в pаботе теpмоpезистоpного сенсора, позволяющая повысить чувствительность и снизить погpешность, а также уменьшить инеpционность чувствительных элементов за счет измеpения вpеменных, а не амплитудных паpаметpов сигнала |
Т 33 Тенденции развития инфракрасных детекторов с квантовыми точками / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 44-50 : рис. - Библиогр. : с.50 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДЕТЕКТОРЫ ИНФРАКРАСНЫЕ -- ТОЧКИ КВАНТОВЫЕ -- ЯМЫ КВАНТОВЫЕ Аннотация: Pассмотpены тенденции pазвития инфpакpасных детектоpов на квантовых точках. Обсуждаются преимущества таких детектоpов пеpед детектоpами на квантовых ямах, а именно чувствительность к ноpмально падающему излучению, фотоотклик в более широком спектpальном диапазоне, меньшие темновые токи, высокий коэффициент усиления фотопроводимости, более высокие значения чувствительности и обнаружительной способности, более высокие рабочие температуры, многоспектральный отклик |
И 88 Исследование физико-химических и электрофизических свойств, газочувствительных хаpактеpистик нанокомпозитных пленок состава SiO2-SnOx-CuOy / В. В. Петров, Т. Н. Назарова [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 8. - С. 15-21 : рис., табл. - Библиогр. : с.21 (16 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МЕТОД ЗОЛЬ-ГЕЛЬ -- МАТЕРИАЛ ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ -- ДИОКСИД АЗОТА Аннотация: Приведены результаты изучения формирования тонких пленок газочувствительного материала состава SiO2-SnOx-CuOy золь-гель-методом. Было проведено исследование их физико-химических и электрофизических свойств, а также изучены газочувствительные характеристики. Определено, что сенсор газа, изготовленный на основе пленок газочувствительного материала состава SiO2-SnOx-CuOy проявляет селективную чувствительность к диоксиду азота в диапазоне рабочих температур 100...200 °C |
В 94 Вычисление чувствительности балочного пьезогироскопа / В. Н. Митько, А. А. Панич [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 10 . - С. 48-50 : рис. - Библиогр. : с.50 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПЬЕЗОГИРОСКОП -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ К ВРАЩЕНИЮ -- БИМОРФ Аннотация: Для балочной конструкции пьезогироскопа с помощью конечно-элементного моделирования рассчитывается чувствительность устройства к вращению |
Ш 75 Шмырева, А. Н. Электронные сенсоры на основе наноструктурных пленок оксида церия / А. Н. Шмырева, А. В. Борисов, Н. В. Максимчук // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 99-104 : рис., табл. - Библиогр. : с.104 (24 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СЕНСЕРЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ПЛЕНКИ НАНОСТРУКТУРНЫЕ -- МЕТОД РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ Аннотация: Изучено влияние технологических параметров получения наноструктурных пленок СеОх на электронные, структурные, оптические и фотоэлектрические характеристики с целью их применения в качестве активного элемента различных микроэлектронных сенсоров: высокоэффективных фоторезисторов и МДП-фотодиодов для регистрации биолюминесценции, ион-селективных полевых транзисторов (ИСПТ) и МДП-варакторов, реагирующих на изменение рН в результате биохимических процессов. Анализ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии РФЭС показал, что в зависимости от технологических режимов, прежде всего от температуры подложки, изменяется соотношение концентраций ионов Се3+ и Се4+ в пленках СеОх, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны. Установлена корреляция этих изменений с оптическими и фотоэлектрическими характеристиками. На основе разработанных высокочувствительных фотоприемников и живых организмов (дафнии и биолюминесцентные бактерии) создан портативный электронный биолюменометрический комплекс для определения общей токсичности среды, вызванной патулином, бифентрином и хлорпирофосом. Минимальный порог чувствительности составил для патулина 0.1 мг/л за 2 ч и 0.01 мг/л за 6 и 24 ч эксперимента, бифентрина - 0.01 мг/л за 3 ч и 0.0001 мг/л за 24 ч эксперимента. Показано, что применение нанокристаллических пленок оксида церия СеОх в качестве диэлектрика МДП-структур повышает чувствительность и стабильность сенсоров этого типа благодаря высокой плотности поверхностных чувствительных центров CeOх (до 1020 м-2), большому значению диэлектрической проницаемости (? = 26) и ширине запрещенной зоны (3.6 эВ), низким значениям токов утечек. Приведены результаты применения ИСПТ и МДП-варакторов с нанокристаллической пленкой CeOх для создания иммунных и ферментных биосенсоров. Порог чувствительности ферментного сенсора на основе холинэстеразы к фосфорорганическим пестицидам составляет 10-9 М, ионам тяжелых металлов - 10-7 М. рН-чувствительность ИСПТ - 58 мВ/рН, что близко к максимально возможной чувствительности для структуры полупроводник-диэлектрик-раствор, т.н. Нернстовской чувствительности - 59 мВ/рН |
Г 13 Газовая чувствительность пленок-композитов на основе SnO2, поверхностно-легированных платиной / С. И. Рембеза [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 12 . - С. 17-21 : рис. - Библиогр. : с. 21 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПЛЕНКИ ДИОКСИДА ОЛОВА -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ГАЗОВАЯ -- ЛЕГИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ ПЛАТИНОЙ Аннотация: Приведены данные о газовой чувствительности пленок-композитов на основе диоксида олова с добавкой кремния, поверхностно легированных платиной. Установлено, что поверхностно легированные пленки-композиты обладают хорошей чувствительностью к газамвосстановителям и позволяют понизить температуру максимальной газовой чувствительности |
З-38 Захаров, А. Г. Моделирование газовой чувствительности кондуктометрических сенсоров газов на основе оксидов металлов / А. Г. Захаров, С. А. Богданов, А. А. Лытюк // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 1. - С. 12-14 : рис. - Библиогр. : с. 14 (20 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ГАЗОВАЯ -- ОКСИДЫ МЕТАЛЛОВ -- СЕНСОРЫ ГАЗОВ КОНДУКТОМЕТРИЧЕСКИЕ Аннотация: Моделируется газовая чувствительность кондуктометрического сенсора газа с усредненными электрофизическими характеристиками. Полученные результаты могут быть использованы проектировании кондуктометрических сенсоров газов на основе оксидов металлов |
И 88 Использование кремниевых нанопроволочных структур в качестве биосенсоров / С. О. Белостоцкая [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 1. - С. 47-49 : рис. - Библиогр. : с. 49 (2 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): БИОСЕНСЕРЫ -- СТРУКТУРЫ НАНОПРОВОЛОЧНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ СЕНСОРА Аннотация: Доведено исследование изготовленных в НПК "Технологический центр" кремниевых наноразмерных чувствительных элементов (нанопроволок) для создания биосенсоров на основе КНИ-структур. Показана возможность химической модификации поверхности кремниевых чувствительных элементов для создания биосенсоров на нано-проволочных транзисторах. На примере раствора стрептавидина продемонстрирована работа подобного биосенсора в режиме реального времени |
П 96 Пьезоэлектрический датчик магнитного поля на основе планарной биморфной структуры с током / Ю. К. Фетисов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 4. - С. 45-48 : рис. - Библиогр. : с. 48 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ -- СТРУКТУРА БИМОРФНАЯ -- ПЬЕЗОЭЛЕКТРИК -- ЦИРКОНАТ-ТИТАНАТ СВИНЦА Аннотация: Описан пьезоэлектрический датчик постоянных магнитных полей в виде планарной биморфной структуры из цирконата-титаната свинца с дополнительным токовым проводником. Принцип работы датчика основан на комбинации силы Ампера и пьезоэффекта. Чувствительность датчика на частоте резонанса изгибных колебаний структуры составляет 10 В / (А . кЭ), а напряженность минимального регистрируемого поля -0,1 Э |
О-53 Олейник, А. С. Регистрация лазерного излучения пленочными реверсивными средами на основе диоксида ванадия / А. С. Олейник, А. В. Федоров // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 5-6. - С. 120-129 : рис., табл. - Библиогр. : с. 129 (22 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДИОКСИД ВАНАДИЯ -- СРЕДЫ ПЛЕНОЧНЫЕ РЕВЕРСИВНЫЕ -- ИЗЛУЧЕНИЕ ЛАЗЕРНОЕ Аннотация: В статье описаны пленочные реверсивные среды на основе диоксида ванадия Al-VO2-Д (диэлектрик) и VO2-Д (диэлектрик), реализующие изменение соответственно оптических и электрических свойств при фотоиндуцированном фазовом переходе полупроводник-металл (ФППМ). Среды получены путем окисления на воздухе напыленных в вакууме пленок ванадия. Приведены оптические, светотехнические параметры, а также разрешающая способность, дифракционная эффективность, энергетическая чувствительность среды Al-VO2-Д в зави- симости от характера лазерного излучения и указаны области ее применения (знакосинтезирующие индикаторы, визуализатор излучения, голографический транспарант). Определен термический гистерезис ФППМ в средах (величина скачка сопротивления, ширина петли гистерезиса) в зависимости от вариации технологии изготовления. Показано применение среды VO2-Д в качестве термочувствительного слоя теплового приемника излучения. Определена постоянная времени приемника, его чувствительность и фундаментальные шумы, ограничивающие чувствительность приемника. Приведены конструкции тепловых приемников излучения |
Г 59 Годовицын, И. В. Перспективная конструкция миниатюрного тензорезистивного преобразователя давления / И. В. Годовицын // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 10. - С. 2-8 : рис., табл. - Библиогр. : с. 8 (32 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПРЕОбРАЗОВАТЕЛИ ДАВЛЕНИЯ МИНИАТЮРНЫЕ -- ТЕХНОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ МИКРООБРАБОТКИ Аннотация: Предлагается конструкция миниатюрного тензорезистивного преобразователя давления на КНИ-структуре. Преобразователь имеет тензорезисторы из монокристаллического кремния и мембрану из полиметаллического кремния, что позволяет совместить в конструкции достоинства традиционных и миниатюрных преобразователей давления - высокую чувствительность и маленькие габаритные размеры. Доведен расчет основных параметров преобразователя с помощью конечно-элементного моделирования. Доведен анализ параметров предложенного преобразователя в сравнении с преобразователями других типов |
П 96 Пьезоэлектрический резонансный датчик магнитного поля на основе планарной биморфной структуры с возбуждающей электромагнитной катушкой / А. А. Сопильняк [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 33-37 : рис. - Библиогр. : с. 37 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ -- КАТУШКА ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ВОЗБУЖДАЮЩАЯ -- СТРУКТУРА БИМОРФНАЯ ПЛАНАРНАЯ -- ДАТЧИК РЕЗОНАНСНЫЙ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ -- СИЛА АМПЕРА -- ЦИРКОНАТ- ТИТТАНАТ СВИНЦА Аннотация: Описан пьезоэлектрический датчик постоянных магнитных полей на основе планарной биморфной структуры из цирконата титаната свинца, возбуждаемый электромагнитной катушкой. Датчик использует силу Ампера, пьезоэффект и резонанс изгибных колебаний структуры для увеличения выходного напряжения. Датчик имеет чувствительность ~250 В/(А-Тл) и линейную зависимость выходного напряжения от поля в диапазоне полей ~10-5...0,3 Тл. Разработана методика расчета характеристик датчика |
К 65 Конструктивные и схемотехнические способы повышения чувствительности биполярных магнитотранзисторов для прецизионного контроля перемещений микромеханических элементов / А. В. Козлов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 19-20 : схема, табл. - Библиогр. : с. 20 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ -- МАГНИТОТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ Аннотация: С использованием приборно-технологического моделирования и в процессе экспериментальных исследований установлено, что относительная по току чувствительность двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора определяется расположением электродов, легированием кармана, служащего базой, схемой включения с общим потенциалом базы и подложки, режимом работы вблизи насыщения, значением сопротивления нагрузки коллекторов |
М 59 Микросистема контроля двух компонент вектора магнитной индукции на основе наноразмерных магниторезистивных структур / В. В. Амеличев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 33-35 : рис., табл. - Библиогр. : с. 35 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АНИЗОТРОПНЫЕ МАГНИТОРЕЗИСТОРЫ -- МОСТ УИТСТОНА -- РАЗБАЛАНС НАПРЯЖЕНИЙ Аннотация: Изготовлены и исследованы двухкоординатные датчики магнитного поля с использованием анизотропных магниторезисторов с полюсом барбера в двух вариантах топологии. Установлено, что распределение магнетосопротивлений по пластине влияет на разбаланс выходных напряжений моста Уитстона и мало влияет на чувствительность. Компактное топологическое расположение магнетосопротивлений уменьшает разбаланс мостов Уитстона |
И 88 Чуйко, О. В. Исследование кремниевых наноструктур в качестве рН-чувствительных элементов / О. В. Чуйко, А. Е. Кузнецов // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 40-42 : рис. - Библиогр. : с. 42 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОПРОВОЛОКИ КРЕМНИЕВЫЕ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- PH -- ISFET Аннотация: Исследованы pH-чувствительные элементы, выполненные на основе кремниевых наноструктур. Формирование наноструктур осуществлялось методом "top-down" ("сверху-вниз"). Нано-проволочные структуры характеризуются более высокой чувствительностью. Интегрированный элемент на основе двух нанопроволок p- и n-типов может быть использован в качестве датчика локального относительного изменения концентрации[Н+] |
Д 38 Детектирование в терагерцовом диапазоне / А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 28-35 : рис., табл. - Библиогр. : с. 35 (20 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПОЛОСА ЧАСТОТ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- ИЗЛУЧЕНИЕ ТЕРАГЕРЦОВОЕ -- ДЕТЕКТОРЫ -- ДЕТЕКТИРОВАНИЕ ПРЯМОЕ Аннотация: Обсуждаются проблемы, связанные с развитием технологии детекторов излучения терагерцового диапазона. Рассмотрены основные физические явления и недавний прогресс в различных методах детектирования терагерцевого излучения (прямого детектирования и гетеродинного детектирования). Обсуждаются преимущества и недостатки сенсоров прямого детектирования и сенсоров с гетеродинным детектированием |
И 88 Исследование физико-химических, эаектрофизических свойств и газочувствитеаьных характеристик нанокомпозитных пленок состава SiO2ZrOx / Т. Н. Назарова [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 38-42 : рис. - Библиогр. : с. 42 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МЕТОД ЗОЛЬ-ГЕЛЬ -- МАТЕРИАЛ ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ -- ДИОКСИД АЗОТА Аннотация: Рассмотрено формирование тонких пленок газочувствительного материала состава SiO2ZrOx золь-гель методом. Было проведено исследование их физико-химических и электрофизических свойств, а также изучены газочувствительные характеристики. Определено, что сенсор газа, изготовленный на основе пленок газочувствительного материала состава SiO2ZrOx, проявляет селективную чувствительность к диоксиду азота в диапазоне рабочих температур 30...200 °С |