Т 33 Тенденции развития инфракрасных детекторов с квантовыми точками / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 44-50 : рис. - Библиогр. : с.50 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДЕТЕКТОРЫ ИНФРАКРАСНЫЕ -- ТОЧКИ КВАНТОВЫЕ -- ЯМЫ КВАНТОВЫЕ Аннотация: Pассмотpены тенденции pазвития инфpакpасных детектоpов на квантовых точках. Обсуждаются преимущества таких детектоpов пеpед детектоpами на квантовых ямах, а именно чувствительность к ноpмально падающему излучению, фотоотклик в более широком спектpальном диапазоне, меньшие темновые токи, высокий коэффициент усиления фотопроводимости, более высокие значения чувствительности и обнаружительной способности, более высокие рабочие температуры, многоспектральный отклик |
Д 38 Детекторы с квантовыми точками ge/si для инфракрасного диапазона / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 39-44 : рис. - Библиогр. : с. 44 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДЕТЕКТОРЫ ИНФРАКРАСНЫЕ -- ТОЧКИ КВАНТОВЫЕ -- ЯМЫ КВАНТОВЫЕ Аннотация: Рассмотрены вопросы создания новых типов детекторов на квантовых точках Ge/Si для инфракрасного диапазона: детекторы на основе p-i-n структур, биполярные и полевые фототранзисторы на основе квантовых точек Ge/Si. Потенциальные преимущества новых типов детекторов могут быть использованы при дальнейшем развитии технологий выращивания квантовых точек с заданными размерами, формой и плотностью |
В 58 Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучаюших структур на основе квантовых ям InGaN/GaN / А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 27-35 : рис. - Библиогр. : с. 35 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭФФЕКТИВНОСТЬ КВАНТОВАЯ ВНУТРЕННЯЯ -- ЯМЫ КВАНТОВЫЕ -- СТРУКТУРЫ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ -- ДИСЛОКАЦИИ Аннотация: Проанализированы способы определения внутренней квантовой эффективности светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN. Рассмотрены рекомбинационные свойства структур на основе квантовых ям InGaN/GaN, а также влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность таких светоизлучающих структур |