С 24 Светоиздучаюшие гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами / А. В. Войцеховский [и др.]> // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 16-23 : рис. - Библиогр. : с. 23 (42 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЯМЫ КВАНТОВЫЕ МНОЖЕСТВЕННЫЕ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ -- НИТРИДЫ III ГРУППЫ Аннотация: Рассмотрены физические свойства нитридов III группы, а также светоизлучающих структур видимого и ультрафиолетового диапазона на их основе. Описываются конструкция и характеристики зарубежных и отечественных светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN. Проведен обзор современных работ, посвященных повышению квантового выхода светодиодов видимого диапазона |
Г 87 Громов, Д. В. Влияние радиации на характеристики элементов на нитриде галлия / Д. В. Громов, Ю. А. Матвеев, Ю. В. Федоров > // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 39-48 : табл., рис. - Библиогр. : с. 48 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НИТРИД ГАЛЛИЯ -- РАДИАЦИЯ -- ИЗЛУЧЕНИЕ ИОНИРУЮЩЕЕ -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ Аннотация: Проведен анализ радиационных эффектов в СВЧ-полупроводниковых приборах на основе нитрида галлия воздействии ионизирующего излучения. Исследовались характеристики диодов с барьером Шоттки, а также полевых транзисторных структур. Установлены физические механизмы радиационного изменения характеристик рассматриваемых GaN элементов |
В 58 Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучаюших структур на основе квантовых ям InGaN/GaN / А. В. Войцеховский [и др.]> // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 27-35 : рис. - Библиогр. : с. 35 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭФФЕКТИВНОСТЬ КВАНТОВАЯ ВНУТРЕННЯЯ -- ЯМЫ КВАНТОВЫЕ -- СТРУКТУРЫ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ -- ДИСЛОКАЦИИ Аннотация: Проанализированы способы определения внутренней квантовой эффективности светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN. Рассмотрены рекомбинационные свойства структур на основе квантовых ям InGaN/GaN, а также влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность таких светоизлучающих структур |
Т 48 Ткачева, А. А. Плазменное травление GaN и его твердых растворов: достижения и перспективы / А. А. Ткачева> // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 21-25 : табл. - Библиогр.: с. 25 (12 назв.) . -
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТРАВЛЕНИЕ СУХОЕ -- НИТРИД ГАЛЛИЯ -- GAN -- ПЛАЗМА ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННАЯ Аннотация: Представлен обзор материалов по плазменному травлению GaN и твердых растворов на его основе, включающий описание различных источников, режимов и газов, применяемых плазменном травлении материалов нитридной группы, вопросы качества травления, а также применение плазменного травления в технологии производства современных НЕМТ-транзисторов |
М 59 Микроструктура границ раздела в гетеросистемах / А. Л. Васильев, В. В. Роддатис, М. Ю. Пресняков, А. С. Орехов, С. Лопатин, В. И. Бондаренко, М. В. Ковальчук> // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 5-6. - С. 37-46 : рис. - Библиогр.: с. 46 (30 назв.) . -
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ГЕТЕРОСИСТЕМЫ -- МИКРОСКОПИЯ РАСТРОВАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ -- МИКРОАНАЛИЗ ЭНЕРГОДИСПЕРСИОННЫЙ РЕНТГЕНОВСКИЙ -- МЕХАНИЗМОВФОРМИРОВАНИЯ СЛОЕВ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРА Аннотация: Представлены результаты исследований структуры границ раздела и тонких пленок в гетероструктурах с использованием просвечивающей и просвечивающей растровой электронной микроскопии с коррекцией сферической аберрации и сверхчувствительного энергодисперсионного рентгеновского микроанализа. На примерах гетероструктур различных материалов (Si/Ge, InGaAs/InAs, AlN/GaN, YBCO на различных подложках и LuFe(Co)O3/YSZ) показана возможность определения морфологии и атомной структуры границ раздела, механизмовформирования слоев |
Н 69 Нитридные приборы миллиметрового диапазона / П. Мальцев, Ю. Федоров, Р. Галиев, С. Михайлович, Д. Гнатюк> // Наноиндустрия. - 2014. - № 3(49). - С. 40-51 : рис., табл., граф. - Библиогр.: с. 51 (33 назв.) . - ISSN 1993-8578 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА -- СВЧ-ПРИБОР -- ШИРОКОЗОННАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА Аннотация: Анализ современного состояния и основных направлений развития технологии создания миллиметровых СВЧ-приборов на широкозонных гетероструктурах (Al,Ga,In)N/GaN показывает, что достигнутый в ИСВЧПЭ РАН технологический уровень находится в хорошем соответствии с общемировыми тенденциями и достижениями. Это создает предпосылки для создания и освоения российского промышленного производства комплектов монолитных интегральных схем для приемопередающих систем Ка-, V- и W-диапазонов частот, превосходящих по своим параметрам СВЧ-приборы на арсенидных гетероструктурах. |