В 75 Воротилов, К. А. Сегнетоэлектрические запоминающие устройства: перспективные технологии и материала [Текст] / К. А. Воротилов, А. С. Сигов // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 10. - С. 30-42 : рис. - Библиогр.: с. 40 (86 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АКТИВНЫЕ ДИЭЛЕКТРИКИ -- СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ -- НАНОСТРУКТУРЫ -- ЦИРКОНАТ-ТИТАНАТА СВИНЦА |
С 87 Структурные особенности пленок цирконата-титаната свинца, сформированных методом химического осаждения из растворов с различным содержанием свинца [Текст] / О. М. Жигалина [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 11. - С. 17-22 : рис., табл. - Библиогр. : с. 22 (18 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МИКРОСТРУКТУРА -- ФАЗОВЫЙ СОСТАВ -- ПЛЕНКИ |
Э 45 Электронная микроскопия наноструктур титаната бария-стронция в матрице оксида алюминия [Текст] / О. М. Жигалина [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 12. - С. 2-6 : рис. - Библиогр. : с. 6 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ -- ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОД -- НАНОСТРУКТУРЫ -- КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ Аннотация: Разработан золь-гель метод формирования сегнетоэлектрических наноструктур титаната бария-стронция с аспектным соотношением 1:10 и более в матрице пористого оксида алюминия. Методами электронной микроскопии выявлена закономерность образования нанострутур при кристаллизации в объеме пор матрицы в виде нанотрубок или наностлобиков диаметром 100...200нм и длиной до нескольких микрометров, формируемых кристаллами титаната бария стронция размером 3...100 нм. |
В 58 Влияние методики приготовления пленкообразующих растворов на электрофизические свойства сегнетоэлектрических пленок цтс / Н. М. Котова, Ю. В. Подгорный [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 10 . - С. 11-16 : рис., табл. - Библиогр. : с.16 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ -- ОСАЖДЕНИЕ ХИМИЧЕСКОЕ ИЗ РАСТВОРОВ -- АЛКОКСИД Аннотация: Исследовано влияние методики приготовления исходных компонентов в процессе синтеза пленкообразующих растворов на электрофизические свойства формируемых тонких пленок цирконата-титаната свинца. Установлено существенное влияние на свойства формируемых пленок природы вводимого циркониевого компонента. Показано, что наилучшие параметры пленок обеспечивает процесс с использованием спиртового раствора пропилата циркония |
В 55 Вишневский, А. С. Исследование влияния структуры нижнего электрода на свойства пленок ЦТС, сформированных методом химического осаждения из растворов / А. С. Вишневский, К. А. Воротилов, О. М. Жигалина, А. Н. Ланцев, Ю. В Подгорный, Д. С. Серегин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 15-20 : рис., табл. - Библиогр.: с. 20 (19 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПОДЛОЖКИ КРЕМНИЕВЫЕ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ЦТС -- ПРОЦЕСС ТЕРМООБРАБОТКИ -- ПЛЕНКИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ -- СТЕКЛО ФОСФОРОСИЛИКАТНОЕ Аннотация: Проведены исследования тонких золь-гель-пленок цирконата-титаната свинца PbZr 0,48Ti 0,52O 3 (ЦТС), сформированных на кремниевых подложках с различными вариантами многослойной структуры Pt /Тi (ТiO 2)/SiO2(ФСС)/Si формирующей нижний электрод сегнетоэлектрического конденсатора. Изучены диффузионные процессы, протекающие в данных гетероструктурах в процессе термообработки, а также роль толщины платины и вспомогательных слоев в формировании кристаллической структуры ЦТС. Установлено, что при кристаллизации ЦТС происходит взаимная диффузия слоев нижнего электрода: нижняя граница Pt размывается, слой Ti (TiO 2) становится толще, Ti диффундирует в Pt и в SiO 2 (ФСС). Использование слоя фосфоросиликатного стекла (ФСС) способствует формированию в пленках ЦТС преимущественной ориентации (100), что ухудшает их поляризационные свойства и ведет к снижению остаточной поляризации до ~10 мкКл/см 2. Нанесение слоя плазмохимического SiO 2 на слой ФСС позволяет стабилизировать границу раздела и улучшить электрические характеристики гетероструктур |