Г 69 Горнев, Е. С. Датчики становятся меньше, функциональнее и умнее... / Е. С. Горнев // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 5. - С. 18-28 : ил. - Библиогр. : с. 28 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДАТЧИКИ -- МИКРОСИСТЕМНАЯ ТЕХНИКА -- ПРОГРАММА РАЗВИТИЯ |
Б 86 Бокарев, В. П. Применение контактной литографии в процессах переноса субмикрометрового изображения при изготовлении мэмс и пав-устройств / В. П. Бокарев, Е. С. Горнев // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 7 . - С. 23-27 : табл., рис. - Библиогр. : с. 27 (9 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЛИТОГРАФИЯ КОНТАКТНАЯ -- МЭМС -- ПАВ-УСТРОЙСТВА Аннотация: Рассмотрены вопросы применимости контактной, проекционной и импринт литографии при изготовлении МЭМС и ПАВ-устройств с субмикрометровыми проектными нормами |
П 96 Пьезоэлектрический датчик магнитного поля на основе планарной биморфной структуры с током / Ю. К. Фетисов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 4. - С. 45-48 : рис. - Библиогр. : с. 48 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ -- СТРУКТУРА БИМОРФНАЯ -- ПЬЕЗОЭЛЕКТРИК -- ЦИРКОНАТ-ТИТАНАТ СВИНЦА Аннотация: Описан пьезоэлектрический датчик постоянных магнитных полей в виде планарной биморфной структуры из цирконата-титаната свинца с дополнительным токовым проводником. Принцип работы датчика основан на комбинации силы Ампера и пьезоэффекта. Чувствительность датчика на частоте резонанса изгибных колебаний структуры составляет 10 В / (А . кЭ), а напряженность минимального регистрируемого поля -0,1 Э |
Э 94 Эффект резистивного переключения в оксидных пленках HfxAl 1 - xOy с переменным составом, выращенных методом атомно-слоевого осаждения / А. С. Батурин, К. В. Булах, И. П. Григал, К. В. Егоров, А. В. Заблоцкий, А. М. Маркеев, Ю. Ю. Лебединский, Е. С. Горнев, О. М. Орлов, А. А. Чуприк // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 13-18 : рис. - Библиогр.: с. 18 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МЕТОД АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ -- ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- ПЛЕНКИ ОКСИДНЫЕ -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- МЕТОДИКА РЕНТГЕНО-ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ Аннотация: В качестве функционального диэлектрического слоя ячейки резистивной памяти ReRAMразработаны и выращены методом атомно-слоевого осаждения тонкие пленки трехкомпонентного оксида Hf xAl 1- xlO y с переменным (по глубине) содержанием Al. Выполнено неразрушающее профилирование оксидной пленки по глубине с использованием методики рентгено-фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. В структурах металл—диэлектрик—металл TiN/Hf xAl 1- xO y/Pt и Pt/Hf xAl 1- xO y/TiN исследован эффект резистивного переключения |
Г 69 Горнев, Е. С. Процесс реактивно-ионного травления контактных окон в смеси на основе C4F 8 для технологии менее 0,25 мкм / Е. С. Горнев, С. И. Янович // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 16-20 : граф., рис. - Библиогр.: с. 19 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): РЕАКТИВНО-ИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- C4F8 -- КОНТАКТНЫЕ ОКНА -- 0, 25 МКМ Аннотация: Настоящая работа призвана показать, что при реактивно-ионном травлении в классических реакторах с вращающимся магнитным полем и использованием C 4F 8 в качестве основного травящего агента для травления контактных окон в технологических процессах создания интегральных схем с минимальными элементами от 0,25 мкм и менее не только применима, но и демонстрирует улучшение анализируемого процесса в отношении элементов с меньшими размерами. Кроме того, представленные в статье исследования могут быть полезны с методологической точки зрения при описании других процессов травления |
Э 94 Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN / С. А. Зайцев, О. М. Орлов, Е. С. Горнев, К. В. Егоров, Р. В. Киртаев, А. М. Маркеев, А. В. Заблоцкий // Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 10-15. - Библиогр.: с. 15 (15 назв.) Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ -- ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ -- ОКСИД ГАФНИЯ Аннотация: Изучен эффект резистивного переключения наноструктур типа металл-оксид-металл TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN на основе тонкой пленки двухслойного оксида, включающей в себя слой стехиометрического оксида гафния и нестехиометрического оксида гафния, допированного алюминием. Слои оксидов нанесены методом атомно-слоевого осаждения. Определены параметры резистивного переключения полученных наноструктур, в том числе время хранения записанного состояния в изготовленных структурах. |