648.4 Д 72 Драгунов, Валерий Павлович. Основы наноэлектроники [] : учеб. пособие / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин ; [ред. Ю. А. Афанасьев [и др.]. - Новосибирск : НГТУ, 2004. - 494 с. : ил. - (Учебники НГТУ). - Библиогр. в конце разд. - ISBN 5-7782-0387-X : 263.00 р.
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ Кл.слова (ненормированные): НАНОЭЛЕКТРОНИКА (ОСНОВЫ) -- НАНОТРАНЗИСТОРЫ (ОСНОВЫ) -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА (ОСНОВЫ) -- КОМПЬЮТЕРЫ КВАНТОВЫЕ |
Г 83 Гридчин, В. А. Численное моделирование микроэлектронного сенсора теплового потока / В. А. Гридчин, О. В. Лобач, Р. П. Дикарева // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 13-16 : рис. - Библиогр. : с. 16 ( 12 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СЕНСОР -- ПОТОК ТЕПЛОВОЙ -- ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЭЛЕКТРОННАЯ -- МЕТОД КОНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Аннотация: Представлены упрощенная тепловая и конечно-элементная модели микpоэлектpонного сенсора теплового потока, обсуждены особенности констpукции. Определено тепловое сопpотивление и получены выpажения для выходного сигнала сенсоpа. Показано, что численное моделиpование точнее описывает хаpактеpистики по сpавнению с аналитической моделью. Доведено сpавнение модельных pасчетов с экспеpиментальными данными, котоpое подтвеpдило пpавильность моделей. Предложенная численная модель позволяет доводить оптимизацию хаpактеpистик сенсоpа |
Г 83 Гридчин, В. А. Калибровка термопар сенсора плотности теплового потока / В. А. Гридчин, О. В. Лобач // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 22-25 : рис. - Библиогр.: с. 25 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПОТОК ТЕПЛОВОЙ -- СЕНСОР -- КАЛИБРОВКА -- МЕТОД КОНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ -- ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЭЛЕКТРОННАЯ Аннотация: Рассматривается калибровка термопар сенсора плотности теплового потока, содержащего профилированную кремниевую мембрану и термопары алюминий- поликремний, с помощью двух интегральных разогревающих резисторов, асимметрично расположенных относительно калибруемой термопары либо батареи термопар. Показана возможность определения линейного и квадратичного коэффициентов термоЭДС термопары и оценена эффективность предложенной конечно-элементной модели температурного поля чипа сенсора |
Г 83 Гридчин, В. А. Влияние термических деформаций на температурную стабильность характеристик кремниевых резонансных сенсоров давления / В. А. Гридчин, М. А. Чебанов, В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 41-44 : рис. - Библиогр.: с. 44 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СЕНСОРЫ ДАВЛЕНИЯ РЕЗОНАНСНЫЕ -- ДЕФОРМАЦИЯ ТЕРМИЧЕСКАЯ -- ДИОКСИД КРЕМНИЯ -- МЕТОД КОМПЕНСАЦИИ ТЕРМИЧЕСКИХ ДЕФОРМАЦИЙ -- ТЕМПЕРАТУРА Аннотация: Результаты моделирования тепловых деформаций влияние на частоту, которую были представлены характеристики резонансных давления датчика (РТС). Было показано, сильная зависимость температуры чувствительность частоты резонанса РТС на толщины пленок диоксида кремния, используемых в процессе производства датчиков. Было предложено термо компенсация метод резонансной элемента с фильм диоксида кремния обратной стороне мембраны |
Г 83 Гридчин, В. А. Численное моделирование при проектировании сенсоров давления / В. А. Гридчин, М. А. Чебанов, В. Б. Зиновьев // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 5-8 : рис. - Библиогр.: с. 8 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СЕНСОР ДАВЛЕНИЯ -- СЕНСОР ДАВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЙ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- НЕЛИНЕЙНОСТЬ -- ПРОЧНОСТЬ Аннотация: Рассмотрен вариант тензорезистивного сенсора давления с упругим элементом (УЭ) в виде квадратной мембраны, на планарной стороне которой сформированы четыре углубления. Определено влияние геометрических размеров углублений на деформацию УЭ и приведены оценки чувствительности, нелинейности и прочности УЭ нового типа. Получено теоретическое и экспериментальное подтверждение увеличения чувствительности сенсора давления на основе предложенного варианта УЭ на 30 % по отношению к традиционным сенсорам давления с плоской мембраной |
Ч-67 Численное моделирование элементов фотоэлектрического волоконно-оптического сенсора давления / В. А. Гридчин, В. Ю. Васильев, М. А. Чебанов, А. Д. Бялик, А. С. Чернов // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 3-7 : граф. - Библиогр.: с. 7 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ОПТОВОЛОКНО -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СЕНСОР ДАВЛЕНИЯ -- МЕТОД КОНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Аннотация: Представлена численная модель оптомеханического узла фотоэлектрического сенсора давления, состоящего из профилированной кремниевой диафрагмы с жестким центром и оптоволокна. Методом конечно-элементного моделирования исследованы условия максимальной чувствительности по смещению свободного конца оптоволокна под действием давления в зависимости от размеров диафрагмы. Показано, что для достижения максимальной чувствительности по перемещению оптоволокна расположение жесткого центра может быть нецентральным и зависит от размеров диафрагмы. Рассмотрены особенности преобразовательной характеристики при использовании в составе фотоэлектрического сенсора давления одного либо двух фотодиодов в дифференциальном включении |