Е 50 Елесин, В. Ф. Переходные процессы в резонансно-туннельном диоде с учетом межэлектронного взаимодействия / В. Ф. Елесин, И. Ю. Катеев, А. Ю. Сукочев // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 81-84 : рис. - Библиогр.: с. 84 (14 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДИОД РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ -- ПРОЦЕССЫ ПЕРЕХОДНЫЕ -- ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖЭЛЕКТРОННОЕ -- ТОК -- РТД -- РЕЗОНАНС Аннотация: Исследовано влияние сильного межэлектронного взаимодействия на переходные процессы в резонансно-туннельном диоде (РТД). С помощью численного решения уравнения Шредингера в приближении Хартри рассчитан нестационарный ток, возникающий в РТД при мгновенном переключении напряжения смещения и включении потока. Рассчитан переход РТД при наличии гистерезиса из состояния с большим током в состояние с малым током. Изучен характер и найдено время этого перехода. Показано, что при скачках напряжения, больших ширины уровня Г, возможно очень быстрое переключение за времена порядка 10-13 c и РТД может быть использован как сверхбыстрый переключатель. Найдено, что установление процессов конструктивной интерференции в квантовой яме и деструктивной в эмиттере происходит за времена порядка 5/Г |
Е 50 Елесин, В. Ф. Влияние уровня в спейсере эмиттера на пиковый ток резонансно-туннельного диода / В. Ф. Елесин, М. А. Ремнев // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 85-88 : рис. - Библиогр.: с. 88 (19 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД -- ТОК -- ДИОД -- РЕЗОНАНС -- ШРЕДИНГЕР -- СЛОЙ ЭМИТТЕРА СПЕЙСЕРНОГО Аннотация: При помощи численного решения уравнения Шредингера была исследована зависимость пикового тока на вольт-амперной характеристике резонансно-туннельного диода от толщины спейсерного слоя эмиттера. Эта зависимость имеет ярко выраженные максимумы. Причем пиковый ток в максимумах намного превышает пиковый ток в отсутствии спейсера. Был выяснен механизм образования максимумов. Они связаны с перекрытием уровня в треугольной яме, образованной спейсерным слоем эмиттера, и резонансным уровнем квантовой ямы. Исследование влияния межэлектронного взаимодействия на полученный эффект показало, что взаимодействие практически не влияет на пиковый ток в прямом направлении приложения напряжения и несколько уменьшает его в обратном |