З-17 Зайцев, Н. А. Модель поведения электронов в структуре сегнетоэлектрика [Текст] / Н. А. Зайцев, Ю. М. Пастухова // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 2. - С. 43-45. - Библиогр.: с. 45 (8 назва.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ХОЛОДНЫЙ КАТОД -- СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК -- ЭЛЕКТРОНЫ -- ТВЕРДОЕ ТЕЛО |
З-17 Зайцев, Н. А. Использование поверхностного интегрального акселерометра для работы в составе комплекса парашютно-реактивной системы [Текст] / Н. А. Зайцев, М. Р. Алимухамедов // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 9. - С. 47-50 : рис. - Библиогр.: с. 50 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АКСЕЛЕРОМЕТР -- ДАТЧИКИ УСКОРЕНИЯ -- ДАТЧИКИ СКОРОСТИ -- ПАРАШЮТНО-РЕАКТИВНАЯ СИСТЕМА -- ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ АКСЕЛЕРОМЕТРЫ -- ПОВЕРХНОСТНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ АКСЕЛЕРОМЕТРЫ |
З-17 Зайцев, Н. А. Применение углеродных нанотрубок в экстремальных областях электроники [Текст] / Н. А. Зайцев // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 11. - С. 8-12 : рис., табл. - Библиогр. : с. 12 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭМИССИЯ ЭЛЕКТРОНОВ -- ХОЛОДНЫЙ КАТОД -- МИКРОВАКУУМНЫЙ ТРИОД |
К 78 Красников, Г. Я. Наноэлектроника : состояние, проблемы и перспективы развития [Текст] / Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 1. - С. 2-5 : рис. - Библиогр.: с. 5 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОТРУБКИ -- НАНОПЛЕНКИ |
З-17 Зайцев, Н. А. Особенности формирования подзатворной системы наноприборов / Н. А. Зайцев, И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 36-39 : граф. - Библиогр. : с. 39 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДИОКСИД КРЕМНИЯ -- ДИЭЛЕКТРИК ПОДЗАТВОРНЫЙ -- СЛОЙ ПЕРЕХОДНЫЙ Аннотация: Определены свойства, которыми должна обладать подзатворная система в нанопpибоpах. Показано, что дефоpмация [SiO4]4--тетpаэдpов приводит к обpазованию диполей на гpанице Si-SiO2. Данный эффект необходимо учитывать о^еделении электpических свойств нанотpанзистоpов |
Р 68 Роль границ раздела в наноразмерных МДП-транзисторах с многослойными high-K-диэлектриками / Н. А. Зайцев // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 15-17. - Библиогр. : с. 17 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ГРАНИЦА РАЗДЕЛА -- МДП-СТРУКТУРА -- HiGH-K DIELECTRICS Аннотация: Раскрывается тезис о необходимости управления структурой субоксидного слоя на границе high-K-диэлектрик/Si путем формирования ультратонкого слоя SiO2, а также на целесообразность использования буферного слоя на границе high-K-диэлектрик/металл |