Л 27 Латохин, Д. В. Численное моделирование микроплазменного пробоя в полупроводниковых структурах / Д. В. Латохин, Э. Н. Воронков // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 26-29 : рис. - Библиогр.: с. 29 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ ЧИСЛЕННОЕ -- СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- МИКРОПЛАЗМА -- ПРОБОЙ -- ПРОВОДНИКИ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- ПЛЕНКИ АМОРФНЫЕ Аннотация: Сообщается о численном моделировании микроплазм в неупорядоченных полупроводниковых структурах при условиях, аналогичных условиям возникновения микроплазменного пробоя в пленках As 2 Se 3 — одного из широкозонных халькогенидных стеклообразных полупроводников. Предложена модель, позволяющая описать процесс микроплазменного пробоя в аморфных пленках |
Л 27 Латохин, Д. В. Оценка параметров барьеров в нанокристаллических полупроводниковых пленках / Д. В. Латохин, А. В. Коновалов, Э. Н. Воронков // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 5. - С. 8-11 : рис., табл. - Библиогр.: с. 11 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПЛЕНКИ -- ПЛЕНКИ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ Аннотация: Сообщается о методике, с помощью которой на основе температурных зависимостей электропроводности и барьерной модели нанокристаллической полупроводниковой пленки можно выполнить оценку высоты барьеров, их концентрации и размеров кристаллитов. Применение предложенной методики расчетов к нанокристаллическим пленкам Si:H дало удовлетворительные результаты |