Н 25 Нанокомпозитный углеродный материал с упорядоченной структурой, синтезированный с использованием пористого оксида алюминия / А. С. Басаев [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 3-4. - С. 31-38 : рис. - Библиогр. : с. 38 (51 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МАТЕРИАЛ УГЛЕРОДНЫЙ НАНОКОМПОЗИТНЫЙ -- ОКСИД АЛЮМИНИЯ ПОРИСТЫЙ -- ПРОЦЕСС СИНТЕЗА Аннотация: Рассматривается процесс синтеза нанокомпозитного углеродного материала с упорядоченной структурой в матрице из пористого анодного оксида алюминия. Матрица с высокоупорядоченной структурой обеспечивает формирование массива ориентированных углеродных трубок с высоким аспектным отношением (больше 1000) в поликристаллическом анодном оксиде алюминия. Полученный материал исследован с помощью сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния, Оже-, ИК- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии |
М 74 Мозалев, А. М. Интегральные высокочастотные конденсаторы с наноструктурными анодно-оксидными диэлектриками / А. М. Мозалев, А. Н. Плиговка, А. О. Крупко // Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 65-73 : рис., табл. - Библиогр. : с. 73 (21 назв.) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МЕХАНИЗМ ИОННО-РЕЛАКСАЦИОННЫЙ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И ЧАСТОТНЫЕ Аннотация: С помощью тонкопленочной технологии и анодирования изготовлены интегральные конденсаторы с тремя типами диэлектриков из наноструктурных анодных оксидов Al, сплава Al-Si (1%) и двухслойной системы Al/Ta. Конденсаторы обладают высокими пробивными напряжениями (до 270 В), малыми токами утечки (< 6 10-11 Аl/мм2 при 10 В) и низкими диэлектрическими потерями (tgS порядка 10-3 ). Обнаруженная дисперсия диэлектрической проницаемости и особенности температурных и частотных зависимостей tgd в диапазоне до 300 МГц свидетельствуют о ионно-релаксационном механизме поляризации со временем релаксации от 10 до 100 мкс в зависимости от типа диэлектрика. Конденсаторы эффективны как на низких частотах до 10 кГц, так и на радиочастотах |