Гершенсон M. E.

Нет

h1

Библиография

Рубрики

Вид издания

Публичные страницы	Название	Описание	Вид издания	Год	Роли
	Magnetic field driven redistribution between extended and localized electronic states in high-mobility Si MOSFETs at low temperatures	Pudalov V. M. Magnetic field driven redistribution between extended and localized electronic states in high-mobility Si MOSFETs at low temperatures / V. M. Pudalov, M. E. Gershenson // Physical Review B. – 2021. – Vol. 104, No. 3. – P. 035407. – DOI 10.1103/PhysRevB.104.035407.	статья из журнала	2021	Автор