Гершенсон M. E.


h1

Библиография

Библиография

ФИЛЬТРЫ:

Публичные страницы Название Описание Вид издания Год Роли
Magnetic field driven redistribution between extended and localized electronic states in high-mobility Si MOSFETs at low temperatures Pudalov V. M. Magnetic field driven redistribution between extended and localized electronic states in high-mobility Si MOSFETs at low temperatures / V. M. Pudalov, M. E. Gershenson // Physical Review B. – 2021. – Vol. 104, No. 3. – P. 035407. – DOI 10.1103/PhysRevB.104.035407. статья из журнала 2021 Автор
Строки с 1 по 1 из 1