Скринский Александр Николаевич родился 15 января 1936 года в Оренбурге. Среднюю школу окончил в городе Горьком, после чего поступил в Московский университет им. М. В. Ломоносова, который окончил в 1959 году.
С 1962 года научная деятельность Александра Николаевича непосредственно связана с Институтом ядерной физики Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН), получившим в 1994 году имя Г. И. Будкера. Именно в ИЯФ под руководством Г. И. Будкера и А. Н. Скринского (параллельно с Принстон-Стэнфордской группой) была создана установка со встречными электрон-электронными пучкам ВЭП-1 (1964) и проведен цикл экспериментов на ней (1965–1967 гг.). В 1967–1970 годах под их же руководством осуществлены эксперименты на первом в мире электрон-позитронном коллайдер - установке со встречными электрон-позитронными пучками ВЭПП-2. Позднее метод встречных пучков стал основой современной экспериментальной физики высоких энергий; в частности, на базе технологий метода встречных пучков был построен Большой адронный коллайдер в ЦЕРНе.
Скринским А. Н. предложена и реализована идея кардинального повышения светимости коллайдеров в уже обследованной области энергии (1969–1974), а также идея радикального улучшения монохроматичности электрон-позитронных встречных пучков. Кроме того, под руководством А. Н. Скринского создан ускорительно-накопительный комплекс ВЭПП-4 на полную энергию 11 ГэВ. Создание и становление метода встречных пучков на основе накопителей заряженных частиц является основой современной экспериментальной физики высоких энергий, исследующей свойства и закономерности мира элементарных частиц.
В 1970-х годах А. Н. Скринский предложил метод высокоточного измерения масс элементарных частиц с помощью резонансной деполяризации электрон-позитронных встречных пучков.
26 ноября 1968 года А. Н. Скринский избран членом-корреспондентом АН СССР, а 24 декабря 1970 года в возрасте тридцати четырех лет стал действительным членом АН СССР (с 1991 года — РАН) по Отделению ядерной физики (физика высоких энергий).
В 1974 году А. Н. Скринский сумел реализовать и значительно развить предложенный Г. И. Будкером метод «электронного охлаждения», были найдены многочисленные эффективные приложения метода в весьма важных областях, найдены решения, позволяющие радикально расширить диапазон энергий, вплоть до ионов ТэВ-ного диапазона.
В 2000-х годах под руководством А. Н. Скринского для Центра фотохимических исследований Сибирского отделения РАН был создан инфракрасный лазер на свободных электронах со средней мощностью до 100 кВт.
Большой вклад внес А. Н. Скринский и в развитие прикладных работ на основе фундаментальных разработок ИЯФ. Это - применение синхротронного излучения в различных областях науки и техники, развитие электронно-лучевых технологий для различных отраслей промышленности.
С 1988 года Александр Николаевич является членом Президиума РАН, с 1999-го - действительным членом Американского физического общества, с 2000-го - членом Шведской королевской академии. В 1980–1986 годах он был членом, а в 1987–1989 - председателем Международного комитета по перспективным ускорителям (ICFA), в 1986-1992 - членом Комитета научной политики ЦЕРН, в 2001-2004 гг. был членом Совета при президенте РФ по науке и высоким технологиям.
Скринский Александр Николаевич награжден орденами Трудового Красного Знамени (1975), Октябрьской Революции (1982), За заслуги перед Отечеством IV (1996), III (2000) и II степени (2007), Почета (2018).
Лауреат Ленинской премии (1967), Государственной премии СССР (1989), Демидовской премии (1997), Государственной премии РФ (2002, 2005).
За выдающийся вклад в науку А. Н. Скринский награжден золотой медалью РАН им. В. И. Векслера (1991), золотой медалью РАН им. П. Л. Капицы (2004), удостоен премии им. Р. Р. Вилсона Американского физического общества (2001) и премии им. А. П. Карпинского (Германия, 2003).

Скринский Александр Николаевич // Российская академия наук. Сибирское отделение: Персональный состав / Сост. Е. Г. Водичев и др. - Новосибирск: Наука, 2007. - С. 234–235.