Турутина Е. А.


h1

Библиография

Библиография

ФИЛЬТРЫ:

Публичные страницы Название Описание Вид издания Год Роли
Электрические свойства халькогенидов AgGe1+xAs1-xS3 (х=0.4-0.6) Электрические свойства халькогенидов AgGe1+xAs1-xS3 (х = 0.4-0.6) / О. Л. Хейфец и др. // Упорядочение в минералах и сплавах = Ordering in Minerals and Alloys : 12-й междунар. симпозиум, 10-16 сентября 2009 г., г. Ростов-на-Дону - Ростов н/Д, 2009. - Т. 2. - С. 213-214. статья из сборника трудов конференции 2009 Автор
Электропроводность и диэлектрическая проницаемость Cu1-xAgxGeAsSe3 (х = 0.7, 0.75) Турутина Е. А. Электропроводность и диэлектрическая проницаемость Cu1-xAgxGeAsSe3 (х = 0.7, 0.75) / Е. А. Турутина, О. Л. Хейфец // XI Всероссийская молодежная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества. Памяти академика Литвинова Б. В. : тез. докл., 15-21 ноября 2010 г. / РАН, УрО, Ин-т физики металлов, Ин-т теплофизики. - Екатеринбург, 2010. - С. 85. тезисы 2010 Автор
Строки с 1 по 2 из 2