Определены ориентационные соотношения между низкотемпературным моноклинным полупроводниковым акантитом α-Ag2S и высокотемпературным объемноцентрированным аргентитом β-Ag2S. Показано, что в кубическом аргентите возможные расстояния между атомами серебра слишком малы, для того чтобы позиции металлической подрешетки были заняты атомами Ag с вероятностью, равной единице. С учетом возможного размещения атомов Ag показано, что при превращении «акантит-аргентит» наиболее вероятен перескок иона серебра из узла (e) моноклинного акантита в узел (j) кубического аргентита. Установлено, что превращение «акантит-аргентит» в гетеронаноструктуре Ag2S/Ag при приложении внешнего напряжения сопровождается образованием проводящего канала из серебра Ag и аргентита β-Ag2S. Отношение токов для включенного и выключенного состояний синтезированной гетеронано-структуры Ag2S/Ag составляет примерно 670. Для изученной гетеронаноструктуры Ag2S/Ag оценена величина энергетического барьера для перескока иона Ag+ из атомного узла моноклинного акантита в узел кубического аргентита.