Изучено образование кубической (V 8C 7) и орторомбической (V 3C 2) сверхструктур на верхней и нижней границах области гомогенности нестехиометрического карбида ванадия VC y. Обнаружено, что состав упорядоченной фазы V 8C 7-δ отклоняется от состава идеальной сверхструктуры V8C7 вследствие пониженной степени заполнения позиций 4(a) неметаллической подрешетки атомами углерода. Атомы ванадия, образующие октаэдрическое окружение  V 6 вакантных узлов в фазах V 8C 7 и V 3C 2, смещены по направлению к вакансии. Изучены ранние стадии образования доменов упорядоченных фаз. Определено влияние температур закалки и отжига на размер доменов. В компактном карбиде ванадия образование доменов упорядоченных фаз начинается на границах зерен неупорядоченного карбида VC y и приводит к возникновению доменной наноструктуры.