Электрические свойства аморфных халькогенидов AgGe1+xAs1-xS3, x = 0.5, x = 0.6

Мельникова Н. В. Электрические свойства аморфных халькогенидов AgGe1+xAs1-xS3, x = 0.5, x = 0.6 / Н. В. Мельникова, О. Л. Хейфец, К. С. Пинигина // Юбилейная X Всероссийская молодежная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества : тез. докл., 9-15 ноября 2009 г. / РАН, УрО, Ин-т физики металлов [и др.]. - Екатеринбург, 2009. - С. 152.

Документ доступен в ЦНБ УрО РАН: 

Нет

Год: 

2009

Связанные персоналии: 

Нет

Рубрики: 

  • Физика

Вид издания: 

  • тезисы


h1