Электрические свойства (PbSe)1-x(AgAsSe2)x при 78 К - 400 К

Шабашова О. А. Электрические свойства (PbSe)1-x(AgAsSe2)x при 78 К - 400 К / О. А. Шабанова, О. Л. Хейфец, Н. В. Мельникова // XVI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников : программа и тезисы докладов, 27 февраля - 4 марта 2006 г., Екатеринбург-Кыштым. - Екатеринбург, 2006. - C. 173.

Документ доступен в ЦНБ УрО РАН: 

Нет

Год: 

2006

Связанные персоналии: 

Нет

Рубрики: 

  • Физика

Вид издания: 

  • тезисы


h1