Электрон-электронное рассеяние в структурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами

Электрон-электронное рассеяние в структурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами / Ю. Г. Арапов и др. // XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников : программа и тез. докл., 20 - 25 февр. 2012 г., Екатеринбург - Новоуральск / РАН, УрО, Ин-т физики металлов [и др.]. - Екатеринбург, 2012. - С. 106-107.

Год: 

2012

Связанные персоналии: 

Нет

Рубрики: 

  • Физика

Вид издания: 

  • тезисы


h1