С использованием зонного метода VASP и кластерного метода дискретного варьирования с локальным обменно-корреляционным потенциалом выполнены расчеты электронного строения шпинели MgCr2O4. Кроме нормальной шпинели с атомами Сr в октаэдрической координации рассмотрено электронное строение иона Сr, замещающего Mg в позиции с тетраэдрическим окружением. Анализ эффективных зарядов на атомах, рассчитанных в работе, показал, что заряд на Сr в тетраэдрической позиции несколько больше, чем в октаэдрической. Расчет электронного строения К2СrO4, содержащего Cr(VI), также выполненный в работе, показал, что заряд Сr в нем на 10-24 % выше, чем в тетраэдрическом окружении в шпинели. Анализ плотностей состояний К2СrO4 прямой и обратной шпинелей показал, что заполненная часть Cr3d зоны в обратной шпинели имеет промежуточную интенсивность по сравнению с нормальной шпинелью и К2СrO4.