Электронное строение эндофуллеренов актинидов An@C28

Электронное строение эндофуллеренов актинидов An@C28 / М. В. Рыжков, А. Л. Ивановский, А. Н. Еняшин, Б. Дэлли // Физика низкоразмерных систем и поверхностей : труды второго Международного междисциплинарного симпозиума (3-8 сентября 2010 г., г. Ростов-н/Д - пос. Лоо, Россия). - Ростов-на-Дону, 2010. - С. 204-205.

Год: 

2010

Связанные персоналии: 

Нет

Рубрики: 

  • Физика

Вид издания: 

  • статья из сборника трудов конференции


h1

Публичные страницы

Публичные страницы

Аннотация

Аннотация

С использованием неэмпирического метода Dmol3 проведена оптимизация геометрии “пустого” фуллерена С28 и содержащего внутри один атом актинида An@C28 (An = Th, Ра, U, Np, Pu, Am, Cm, Bk, Cf, Es, Fm, Md). Определены тенденции изменения энергии диссоциации в ряду данных кластеров. На основе расчетов нейтральных и заряженных эндофуллеренов неэмпирическим релятивистским методом дискретного варьирования оценена степень участия 5f оболочки в химическом связывании актинида с углеродной оболочкой.