Излагаются теоретические предпосылки и физические принципы работы сверхпроводящих и полупроводниковых устройств спиновой электроники, выполненных на элементной базе гетероструктур и мультислоев сверхпроводник / ферромагнитный полупроводник (ФП), ФП / немагнитный полупроводник (П), ферромагнитный металл (ФМ) / П. Даны фундаментальные электронные и магнитные характеристики этих материалов, способы их получения в компактном, монокристаллическом и пленочном состояниях. Приводятся способы создания и результаты изучения физических параметров сверхпроводящих туннельных переходов Джозефсона с барьером, выполненным из ФП, а также контактов ФП / П, в которых осуществлены спиновый токоперенос и инжекция спинов носителей определенной ориентации в полупроводник. Показаны новые физические возможности подобных структур как для спиновой криоэлектроники, так и субмиллиметровой спектроскопии твердого тела и устройств спиновой информатики, а также для создания твердотельного лазера миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов. Для специалистов, занимающихся разработкой устройств спиновой электроники и информатики, технологов и физиков-магнитологов, интересующихся развитием и применением новых направлений квантового магнетизма XXI века, а также для студентов и аспирантов физических специальностей университетов.