Рассмотрены условия потери устойчивости кристаллической решетки нестехиометрических соединений при образовании структурных вакансий. Показано, что неустойчивость решетки при увеличении концентрации вакансий достигается при появлении в решетке бесконечного вакансионного кластера, образованного вакансиями наименьшего допустимого размера. Предложен метод расчета критической концентрации вакансий, соответствующей нижней границе области гомогенности нестехиометрических соединений. В качестве примера рассчитаны нижние границы области гомогенности карбидов переходных металлов.