Hall Effect in Doped Mott Insulator: DMFT – Approximation

Hall Effect in Doped Mott Insulator: DMFT – Approximation / E. Z. Kuchinskii, N. A. Kuleeva, M. V. Sadovskii, D. I. Khomskii // JETP Letters. – 2022. – DOI 10.1134/S002136402220036X.

Документ доступен в ЦНБ УрО РАН: 

Нет

Год: 

2022

Связанные персоналии: 

Нет

Рубрики: 

  • Физика

Вид издания: 

  • статья из журнала

Коллекции:
Нет

h1