С использованием метода функционала электронной плотности впервые проведены расчеты электронного строения, оптимизированы параметры решетки, оценены относительная энтальпия образования и величина объемного модуля упругости для новой полиморфной модификации моносульфида олова π-SnS в сравнении с рядом известных и ранее подробно охарактеризованных кристаллических и двумерных модификаций SnS. Обнаружено, что полиморф π-SnS занимает второе место по устойчивости после термодинамически стабильного α-SnS. Новая модификация будет полупроводником с большей шириной щели, чем у α-SnS. Показано, что идентификация π-SnS методами рентгеноструктурного анализа в нанокристаллических образцах SnS может быть существенно затруднена наложением на уширенные рефлексы α-SnS.