Исследована структура соединения YBa2Cu307.5 после низкотемпературного отжига (200—300°С) и последующего восстановления при Т = 930—950°С. Показано, что сохранение после восстановительного отжига части дефектов структуры, образовавшихся в ходе распада, способствует формированию системы планарных дефектов и дислокаций, рассматриваемых в качестве центров пиннинга в материалах, обладающих улучшенными электрофизическими свойствами. The structure of YBa2Cu3O7.fi compound after low-temperature annealing (200-300°C) followed by the recovery at T = 930-950°C has been studied. It has been shown that the retention after this heat treatment of a part of structural defects formed at decomposition promotes formation of a system of planar defects and dislocations considered to be pinning centers in the materials with enhanced electro-physical properties.