Parallel magnetic field induced strong negative magnetoresistance in a p-Ge1-xSix/Ge/p-Ge1-xSix valence band quantum well

Parallel magnetic field induced strong negative magnetoresistance in a p-Ge1-xSix/Ge/p-Ge1-xSix valence band quantum well / М. V. Yakunin, G. A. Alshanskii, Yu. G. Arapov [et al.] // Электронные свойства низкоразмерных полу- и сверхпроводниковых структур : XIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 18-22 февраля 2002 г., Екатеринбург. - Екатеринбург, 2002. - С. L8.

Документ доступен в ЦНБ УрО РАН: 

Нет

Год: 

2002

Связанные персоналии: 

Нет

Рубрики: 

  • Физика

Вид издания: 

  • тезисы


h1