Parallel magnetic field induced strong negative magnetoresistance in a p-Ge1-xSix/Ge/p-Ge1-xSix valence band quantum well / М. V. Yakunin, G. A. Alshanskii, Yu. G. Arapov [et al.] // Электронные свойства низкоразмерных полу- и сверхпроводниковых структур : XIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 18-22 февраля 2002 г., Екатеринбург. - Екатеринбург, 2002. - С. L8.
Документ доступен в ЦНБ УрО РАН:
Нет
Год:
2002
Связанные персоналии:
Нет
Рубрики:
- Физика
Вид издания:
- тезисы