Альшанский Г. А. Рассеяние на удаленных примесях в многослойных гетероструктурах p-Ge/GeSi и квантовых ямах InGaAs/n-GaAs / Г. А. Альшанский, Ю. Г. Арапов, М. В. Якунин // Электронные свойства низкоразмерных полу- и сверхпроводниковых структур : XIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 18-22 февраля 2002 г., Екатеринбург. - Екатеринбург, 2002. - С. Р19.