Экспериментально изучены в области гелиевых температур процессы фононного переноса в керамиках на основе оксидов Аl и Zr и композитов на их основе. Показано, что в пределах более чем двух порядков величины размера зерна керамики R, вплоть до наноразмеров, коэффициент диффузии фононов Deff ~ R и имеет убывающую температурную зависимость. В нанокерамиках на основе Аl с R < 200 нм коэффициент диффузии фононов скачком уменьшается на два порядка величины, а зависимость его от температуры становится возрастающей.