Изобретение относится к области получения нанокристаллических композиционных материалов, содержащих полупроводниковые и металлические наночастицы, и может быть использовано в оптоэлектронике и наноэлектронике в качестве переключателей сопротивления и энергонезависимых устройствах памяти. Способ получения гетеронаноструктур Ag2S/Ag включает получение смеси водных растворов нитрата серебра, сульфида натрия и цитрата натрия, взятых в соотношении, равном 1 : 0,1 ÷ 1,2 : 0,05 ÷ 1,8, выдержку в течение 5-100 мин при температуре 20-35°С и облучение излучением с длиной волны 460-650 нм и световым потоком мощностью 400-6000 лм в течение 5-100 мин. Изобретение позволяет получать двухфазные гетеронаноструктуры Ag2S/Ag типа “полупроводник/металл” с заранее заданным размером в диапазоне от 10 до 80 нм, в которых полупроводниковая и металлическая составляющие когерентно связаны. 1 ил., 2 пр.