The Study of Parameters on the Nearest Atomic Surrounding in Siliciumj Thin Surface Layers by the EELFS Method

The Study of Parameters on the Nearest Atomic Surrounding in Siliciumj Thin Surface Layers by the EELFS Method / D. V. Sumin, D. E. Guy, A. N. Deev [et al.] // 3rd Russian-German Seminar on Electron and X-ray Spectroscopy, September 15-19, 1999, Yekaterinburg, Russia : Program and Abstracts. - Yekaterinburg, 1999. - P. 76.

Документ доступен в ЦНБ УрО РАН: 

Нет

Год: 

1999

Связанные персоналии: 

Нет

Рубрики: 

  • Физика, Химические науки

Вид издания: 

  • тезисы


h1