Рассмотрены процессы образования, взаимодействия и миграции точечных структурных дефектов в твердых телах на основе щелочно-галоидных кристаллов (ЩГК) (номинально чистые, слаболегированные и смешанные ЩГК) с помощью математических компьютерных моделей, использующих следующие методы: молекулярной статики, молекулярной динамики, Монте-Карло, сокращенные методы моделирования. Проведены расчеты энергий образования, взаимодействия и миграции структурных дефектов, электропроводности слаболегированных и смешанных ЩГК, проанализированы механизмы элементарных диффузионных скачков. Наряду с компьютерными моделями использованы аналитические методы (феноменологические и микроскопические). Прослежены закономерности формирования макроскопических характеристик дефектных кристаллов исходя из характеристик элементарного диффузионного скачка. Для специалистов в области физики дефектных кристаллов и вы-числительной физики твердого тела, студентов и аспирантов физических специальностей.