Температурная зависимость пиковых значений проводимости в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами / А. С. Клепикова и др. // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников : программа и тез. докл., 15 - 20 февраля 2016 г., Екатеринбург / РАН, УрО, Ин-т физики металлов [и др.]. - Екатеринбург, 2016. - С. 98-99.