Особенности электронного транспорта в релаксированных Si/Si1-хGeх гетероструктурах с высоким уровнем легирования / Л. К. Орлов и др. // XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников : программа и тез. докл., 20 - 25 февр. 2012 г., Екатеринбург - Новоуральск / РАН, УрО, Ин-т физики металлов [и др.]. - Екатеринбург, 2012. - С. 114-115.