Исследование квантовых кинетических эффектов в напряженных гетероструктурах p-Ge/GeSi, p-Si/SiGe, селективно - и δ-легированных гетероструктурах n-GaAs/AIGaAs, сверхрешетках GaAs/AIGaAs и в эпитаксиальных слоях CdHgTe

Цидильковский И. М. Исследование квантовых кинетических эффектов в напряженных гетероструктурах p-Ge/GeSi, p-Si/SiGe, селективно - и δ-легированных гетероструктурах n-GaAs/AIGaAs, сверхрешетках GaAs/AIGaAs и в эпитаксиальных слоях CdHgTe / И. М. Цидильковский // Межотраслевая научно-техническая программа России "Физика твердотельных наноструктур" : сборник результатов, полученных в 1995 году. - Москва, 1996. - С. 141-142

Год: 

1996

Связанные персоналии: 

Нет

Рубрики: 

  • Физика

Вид издания: 

  • отчет


h1