Изучено влияние температуры, концентрации и распределения структурных вакансий углеродной подрешетки на электросопротивление р нестехиометрических карбидов ванадия VCy (0.66 ≤ у ≥ 0.875) в интервале температур 300-1200 K. Определены симметрия и структурные характеристики упорядоченных фаз V6C6 и V8C7, образующихся в результате низкотемпературного отжига на разных участках области гомогенности карбида VCy. Зависимость остаточного электросопротивления от состава неупорядоченного карбида ванадия объяснена атомно-вакансионным взаимодействием и изменением концентрации носителей тока в области гомогенности VCy.