В интервале температур от 4 до 1100 К измерена магнитная восприимчивость монокристаллического икосаэдрического квазикристалла Аl70.2Рd21.3Мn8.5. Показано, что восприимчивость квазикристалла включает температурно-независимый диамагнитный вклад и температурно-зависимый парамагнитный вклад Кюри и парамагнитный вклад Паули для электронной системы с энергетической щелью. Анализ низкотемпературной восприимчивости обнаружил наличие в квазикристалле при 4 К около 0.008% ионов с магнитным моментом 4μв. Предположено, что ионы с нескомпенсированным магнитным моментом появляются вблизи структурных вакансий в решетке квазикристалла. Оценены ширина энергетической щели А = 0.64 эВ между валентной зоной и зоной проводимости и эффективная масса носителей заряда, равная примерно 70 массам электрона.