Атомная и магнитная структура интерфейсов как определяющий фактор в формировании гигантского магниторезистивного эффекта в металлических сверхрешетках / В. В. Устинов, Л. Н. Ромашев, Е. А. Кравцов [и др.] // Научная сессия Института физики металлов УрО РАН по итогам 2001 г., 11-14 марта 2002 г. - Екатеринбург, 2002. - С. 68-69.