Квантовые интерференционные вклады в проводимость в структурах InGaAs/GaAs

Шишкин М. А. Квантовые интерференционные вклады в проводимость в структурах InGaAs/GaAs / М. А. Шишкин, С. В. Гудин, В. Н. Неверов // XXII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества памяти М. И. Куркина (СПФКС-22), 24 ноября - 1 декабря 2022 года : тезисы докладов. - Екатеринбург, 2022. - С. 169.

Документ доступен в ЦНБ УрО РАН: 

Нет

Год: 

2022

Связанные персоналии: 

Нет

Рубрики: 

  • Физика

Вид издания: 

  • тезисы


h1