Карсканов И. В.


h1

Библиография

Библиография

ФИЛЬТРЫ:

Публичные страницы Название Описание Вид издания Год Роли
Температурная и магнитополевая зависимости коэффициента Холла в гетероструктурах р-Ge/Ge1-xSi1 Карсканов И. В. Температурная и магнитополевая зависимости коэффициента Холла в гетероструктурах р-Ge/Ge1-xSi1 / И. В. Карсканов, В. Н. Неверов // V Молодежный семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, 29 ноября - 5 декабря 2004 г. - Екатеринбург, 2004. - С. 23. тезисы 2004 Автор
Разделение вкладов электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур р - Ge/Ge1-xSix Разделение вкладов электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур р - Ge/Ge1-xSix / И. В. Карсканов, Ю. Г. Арапов, С. В. Гудина [и др.] // VI Молодежный семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, 28 ноября - 4 декабря 2005 г. - Екатеринбург, 2005. - С. 31. тезисы 2005 Автор
Quantum Hall effect in p-Ge/Ge1-xSix heterostructures with low hole mobility Quantum Hall effect in p-Ge/Ge1-xSix heterostructures with low hole mobility / Yu. G. Arapov, G. I. Harus, I. V. Karskanov [et al.] // XVI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников : программа и тезисы докладов, 27 февраля - 4 марта 2006 г., Екатеринбург-Кыштым. - Екатеринбург, 2006. - C. 106-107. тезисы 2006 Автор
Переход плато - плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах р - Gе/Ge1-xSix Переход плато - плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах р - Gе/Ge1-xSix / Ю. Г. Арапов, М. А. Гинс, И. В. Карсканов [и др.] // VII Молодежный семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, 27 ноября - 3 декабря 2006 г. : тезисы докладов. - С. 20-21. тезисы 2006 Автор
Переход плато - плато в режиме квантового эффекта Холла в двойной квантовой яме In0.2Ga0.8As/GaAs Карсканов И. В. Переход плато - плато в режиме квантового эффекта Холла в двойной квантовой яме In0.2Ga0.8As/GaAs / И. В. Карсканов, В. Н. Неверов // VII Молодежный семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, 27 ноября - 3 декабря 2006 г. : тезисы докладов. - С. 35-36. тезисы 2006 Автор
Определение туннельной щели в двойных квантовых ямах n-InGaAs/GaAs Определение туннельной щели в двойных квантовых ямах n-InGaAs/GaAs / Э. З. Кучинский, И. А. Некрасов, М. В. Садовский // VIII Российская конференция по физике полупроводников. Полупроводники 2007. Екатеринбург, 30 сентября - 5 октября 2007 г. - Екатеринбург, 2007. - С. 203. тезисы 2007 Автор
Скейлинг в режиме квантового эффекта Холла для двойных квантовых ям InGaAs/GaAs Скейлинг в режиме квантового эффекта Холла для двойных квантовых ям InGaAs/GaAs / И. В. Карсканов, В. Н. Неверов М. В. Якунин [и др.] // VIII Российская конференция по физике полупроводников. Полупроводники 2007. Екатеринбург, 30 сентября - 5 октября 2007 г. - Екатеринбург, 2007. - С. 223. тезисы 2007 Автор
Рост туннельной щели с увеличением концентрации электронов в двойной квантовой яме n—lnxGa1-xAs/GaAs Рост туннельной щели с увеличением концентрации электронов в двойной квантовой яме n—lnxGa1-xAs/GaAs / А. С. Клепикова и др. // IX Молодежная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества : тез. докл., Екатеринбург, 17-23 ноября 2008 г. / РАН, УрО, Ин-т физики металлов [и др.]. - Екатеринбург, 2008. - С. 159-160. тезисы 2008 Автор
Строки с 1 по 8 из 8